欢迎来到亿配芯城! | 免费注册
你的位置:IXYS(艾赛斯)功率半导体IC芯片全系列-亿配芯城 > 话题标签 > IXST30N60B2D1

IXST30N60B2D1 相关话题

TOPIC

标题:IXYS艾赛斯IXST30N60B2D1功率半导体IGBT技术与应用介绍 IXYS艾赛斯IXST30N60B2D1功率半导体IGBT是一款高性能的功率电子器件,其技术特点和方案应用在当今的电力电子领域中具有重要意义。 首先,我们来了解一下IXYS艾赛斯IXST30N60B2D1的基本参数。这款IGBT的额定电压为600V,最大电流为48A,最大功率为250W。其封装形式为TO268,具有体积小、重量轻、效率高等优点。 在技术方面,IXYS艾赛斯IXST30N60B2D1采用了先进的IGB
  • 共 1 页/1 条记录