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IXXH110N65C4 相关话题

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标题:IXYS艾赛斯IXXH110N65C4功率半导体IGBT技术与应用介绍 功率半导体IGBT,即绝缘栅双极晶体管,是一种重要的电子元器件,广泛应用于各种电力电子设备中。本文将介绍IXYS艾赛斯公司的IXXH110N65C4功率半导体IGBT,包括其技术特点、规格参数、应用方案等方面。 一、技术特点 IXXH110N65C4功率半导体IGBT采用了IXYS艾赛斯公司的独特技术,包括高电压设计、高速开关特性、高电流容量等。该器件能够在650V的电压下,承受高达234A的电流,并具有880W的输
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