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IXYS艾赛斯IXXH30N60B3功率半导体IGBT 600V TO247的技术和方案应用介绍
2025-01-10
标题:IXYS艾赛斯IXXH30N60B3功率半导体IGBT 600V TO247的技术和方案应用介绍 一、简介 IXYS艾赛斯IXXH30N60B3功率半导体IGBT是一种重要的电子元件,其工作原理基于绝缘栅双极型晶体管(IGBT)。这种器件在电力电子领域具有广泛的应用,如交流电机驱动、UPS电源、太阳能逆变器、变频器等。 二、技术特点 IXXH30N60B3采用TO-247封装,具有600V的高耐压和低导通电阻等优点。这种特性使得该款IGBT在高温、高压和高频率的条件下具有较高的效率,同时
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