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IXYS艾赛斯IXXH30N65B4功率半导体IGBT 650V 65A 230W TO247AD的技术和方案应用介绍
2024-09-25
标题:IXYS艾赛斯IXXH30N65B4功率半导体IGBT技术及方案应用介绍 随着电子技术的飞速发展,功率半导体器件在各种设备中的应用越来越广泛。IXYS艾赛斯公司的IXXH30N65B4功率半导体IGBT便是其中的佼佼者。这款器件采用TO247AD封装,具有650V、65A、230W的强大性能,适用于各种高功率、高电压的电子设备。 首先,我们来了解一下IXXH30N65B4的基本技术参数。它采用N沟道增强型结构,具有较高的开启电压和较低的导通电阻,使得它在高功率应用中表现出色。同时,其出色
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