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IXYS艾赛斯IXXH40N65B4功率半导体IGBT 650V 120A 455W TO247AD的技术和方案应用介绍
2025-01-02
标题:IXYS艾赛斯IXXH40N65B4功率半导体IGBT 650V 120A 455W TO247AD的技术和方案应用介绍 一、技术概述 IXYS艾赛斯IXXH40N65B4功率半导体IGBT是一款高性能的功率电子设备,其工作电压高达650V,电流容量为120A,功率输出达到455W,适用于各种需要大功率、高效率的电子设备。TO247AD是该IGBT的封装形式,具有小型化、散热性能好、耐高温等特点,使其在高温、高功率的场合具有显著的优势。 二、方案应用 1. 工业电机驱动:IXXH40N6
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