IXXH40N65B4H1 相关话题

标题：IXYS艾赛斯IXXH40N65B4H1功率半导体IGBT技术与应用介绍 一、概述 IXYS艾赛斯IXXH40N65B4H1是一款高性能的功率半导体IGBT，其技术规格包括650V的电压等级，120A的电流容量以及455W的输出功率。这款IGBT在TO247AD封装中应用广泛，适用于各种工业、电源和电机控制领域。 二、技术特点 IXXH40N65B4H1的优异性能得益于IXYS艾赛斯的技术创新。首先，其650V的电压等级能够承受较高的电应力，适用于各种高电压应用场景。其次，120A的电流