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IXYS艾赛斯IXXH60N65C4功率半导体IGBT 650V 118A 455W TO247AD的技术和方案应用介绍
2025-01-21
标题:IXYS艾赛斯IXXH60N65C4功率半导体IGBT 650V 118A 455W TO247AD的技术和应用介绍 一、引言 随着科技的快速发展,功率半导体器件在电力电子设备中的应用越来越广泛。IXYS艾赛斯公司生产的IXXH60N65C4功率半导体IGBT,其特性在同类产品中表现优异。本文将深入介绍IXXH60N65C4的技术特点和方案应用。 二、技术特点 IXXH60N65C4采用IXYS艾赛斯特有的TO247AD封装,这种封装具有高散热性能,能够确保IGBT在高温环境下稳定运行。
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