IXXH75N60B3 相关话题

随着科技的不断发展，功率半导体器件在各个领域的应用越来越广泛。IXYS艾赛斯公司的IXXH75N60B3功率半导体DISC IGBT作为一种高效、可靠的功率器件，在电力电子领域具有广泛的应用前景。本文将介绍IXXH75N60B3功率半导体的技术特点和IXYS艾赛斯公司的方案应用。 一、技术特点 IXXH75N60B3功率半导体DISC IGBT采用了IXYS艾赛斯公司的专利技术XPT-GENX3，具有高耐压、大电流、低损耗等特点。该器件采用TO-247AD封装，具有优良的散热性能和机械可靠性。