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IXYS艾赛斯IXXH75N60C3D1功率半导体IGBT 600V 150A 750W TO247的技术和方案应用介绍
2024-07-18
标题:IXYS艾赛斯IXXH75N60C3D1功率半导体IGBT 600V 150A 750W TO247的技术和方案应用介绍 一、简介 IXYS艾赛斯IXXH75N60C3D1是一款600V 150A 750W的功率半导体IGBT,它被广泛应用于各种需要大功率转换和传输的电子设备中,如电源模块、逆变器、电机驱动器等。这种器件的特点是效率高、性能可靠、体积小,因此在许多高功率领域具有广泛的应用前景。 二、技术特性 IXXH75N60C3D1的特性包括:600V的绝缘电压,150A的电流容量,以
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