艾赛斯IXYA20N120B4HV功率半导体
2024-03-30标题:IXYS艾赛斯IXYA20N120B4HV功率半导体IGBT技术与应用介绍 随着科技的飞速发展,功率半导体器件在各种电子设备中的应用越来越广泛。IXYS艾赛斯公司的IXYA20N120B4HV功率半导体IGBT,以其卓越的性能和可靠性,成为了众多应用场景中的理想选择。 首先,让我们了解一下IXYS艾赛斯IXYA20N120B4HV功率半导体IGBT的基本参数。这款器件的最大额定工作电压为1200V,最大额定工作电流为20A,这使得它在许多高功率和高电压应用中具有出色的性能。此外,它的通态