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IXYS艾赛斯IXYA8N90C3D1功率半导体IGBT 900V 20A 125W C3 TO-263AA的技术和方案应用介绍
2024-12-14
标题:IXYS艾赛斯IXYA8N90C3D1功率半导体IGBT技术与应用介绍 一、简介 IXYS艾赛斯IXYA8N90C3D1是一款功率半导体IGBT,其特性在当今的电子设备中具有重要意义。这款IGBT是一种绝缘栅双极型晶体管,具有开关速度快、热稳定性高、驱动成本低等优点。IXYA8N90C3D1的规格为900V,20A,125W,适用于各种需要大功率转换的电子设备。 二、技术特点 IXYS艾赛斯IXYA8N90C3D1 IGBT的技术特点主要包括高电压、大电流、高热耗等特性。其工作电压达到9
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