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IXYB82N120C3H1 相关话题

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标题:IXYS艾赛斯IXYB82N120C3H1功率半导体IGBT的技术和方案应用介绍 随着科技的飞速发展,功率半导体器件在各个领域的应用越来越广泛。IXYS艾赛斯公司的IXYB82N120C3H1功率半导体IGBT,以其卓越的性能和稳定性,在电力转换和控制系统中发挥着至关重要的作用。本文将深入探讨IXYS IXYB82N120C3H1的技术特点和方案应用。 首先,我们来了解一下IXYS IXYB82N120C3H1的基本参数。这款IGBT是800V,164A,最大功率为1040W。其内部包含
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