欢迎来到亿配芯城! | 免费注册
你的位置:IXYS(艾赛斯)功率半导体IC芯片全系列-亿配芯城 > 话题标签 > IXYH100N65C3

IXYH100N65C3 相关话题

TOPIC

IXYS的IXYH100N65C3是一款高性能的半导体IGBT,适用于各种电子设备中。该型号的IGBT采用了650V的技术规格,能够承受高达200A的电流和830W的功率。 该型号的IGBT采用了TO247封装形式,这种封装形式具有高功率容量、低热阻和良好的散热性能等特点,能够满足各种电子设备的散热需求。此外,该封装形式还具有较高的集成度,能够减少电路板的面积和降低成本。 IXYS的IXYH100N65C3IGBT具有较高的开关速度和较低的损耗,适用于各种需要高效能的电子设备中。其应用领域包括
标题:IXYS艾赛斯IXYH100N65C3功率半导体IGBT技术及方案应用介绍 随着科技的进步,电力电子设备在我们的日常生活中发挥着越来越重要的作用。IXYS艾赛斯公司的IXYH100N65C3功率半导体IGBT,以其独特的性能和出色的可靠性,成为电力转换领域的重要一员。 IXYS IXYH100N65C3采用650V 200A 830W的IGBT技术,具有高耐压、高电流、高热耗等特点,适用于各种高功率、高电压的场合。其TO-247封装设计,使得该器件在保持高功率的同时,具有优良的散热性能和
  • 共 1 页/2 条记录