一、技术特点 IXYS IXYH10N170C是一款高性能的半导体IGBT，具有以下技术特点： 1. 电压等级：该器件支持1.7KV的电压，适用于各种高电压应用场景。 2. 电流容量：最大电流达到36A，能够满足大功率输出需求。 3. 封装形式：TO247封装形式，具有较高的热导率和良好的电性能。 4. 开关速度：该器件具有较快的开关速度，能够实现高效节能。 二、应用方案 该器件适用于各种需要大功率输出的应用场景，如电力电子、工业控制、新能源等领域。以下是一些典型应用方案： 1. 逆变器：在光
艾赛斯IXYH10N170C功率半导体IGBT 1
2024-03-13标题：IXYS艾赛斯IXYH10N170C功率半导体IGBT技术与应用介绍 IXYS艾赛斯公司的IXYH10N170C功率半导体IGBT是一款具有高效率、高可靠性、低能耗的优秀产品。这款IGBT采用1.7KV 36A TO247封装，具有广泛的应用前景。 首先，我们来了解一下IXYS艾赛斯IXYH10N170C功率半导体IGBT的技术特点。这款IGBT采用了先进的工艺技术，具有高耐压、大电流、高频性能好等特点。其内部结构采用双极型结构，具有较高的开关速度，能够有效地降低功耗，提高系统效率。此外