IXYH20N120C3D1 相关话题

IXYS的IXYH20N120C3D1是一款高性能的半导体IGBT，适用于各种电源和电子设备。该器件采用TO-247AD封装，具有紧凑的结构和良好的热性能。 技术特点： * 1200V耐压，36A漏极电流，230W功耗； * 快速开关性能，低损耗和低噪音性能； * 热阻低，工作温度范围广； * 集成度较高，易于安装和维护。 应用方案： * 电源模块：IXYS的IXYH20N120C3D1可以作为电源模块的核心器件，适用于各种高功率、大电流的电源设备。通过合理的设计和散热措施，可以有效地降低电源

标题：IXYS艾赛斯IXYH20N120C3D1功率半导体IGBT技术与应用介绍 随着科技的飞速发展，功率半导体器件在各种电子设备中的应用越来越广泛。IXYS艾赛斯公司的IXYH20N120C3D1 IGBT功率半导体器件，以其卓越的性能和可靠性，在众多应用领域中发挥着重要作用。 IXYS IXYH20N120C3D1 IGBT是一款具有1200V耐压、36A电流容量和230W功率输出的器件。其TO-247AD封装设计使得该器件在各种高功率、高温度和高频率的应用场景中表现出色。此外，该器件的开