IXYH30N120C3D1 相关话题

IXYS IXYH30N120C3D1是一款高性能的半导体IGBT，适用于各种电源和电子设备。该器件采用TO247封装，具有紧凑的结构和高效的散热性能。 技术特点： * 1200V耐压，66A电流，416W功率； * 快速导通和关断特性，有助于提高系统效率； * 热阻低，有助于降低结温，延长使用寿命； * 集成门极可调电阻，便于驱动和控制； * 封装紧凑，适用于空间受限的应用场景。 应用方案： * 电源模块：IXYS IXYH30N120C3D1可应用于中大功率电源模块，如UPS、充电桩、变频

标题：IXYS艾赛斯IXYH30N120C3D1功率半导体IGBT技术与应用介绍 一、简介 IXYS艾赛斯IXYH30N120C3D1功率半导体IGBT是一款适用于各种高电压、大电流应用的半导体器件。其工作电压高达1200V，电流容量为66A，功率为416W，封装形式为TO247。这些特性使得IXYS IXYH30N120C3D1在电力转换、电源管理以及其它高功率应用领域中具有广泛的应用前景。 二、技术特点 IXYS IXYH30N120C3D1采用先进的IGBT技术，具有以下特点： 1. 高