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IXYS艾赛斯IXYH30N65C3功率半导体IGBT 650V 60A 270W TO247AD的技术和方案应用介绍
2024-12-03
标题:IXYS艾赛斯IXYH30N65C3功率半导体IGBT技术与应用介绍 IXYS艾赛斯公司的IXYH30N65C3功率半导体IGBT是一款具有高效率、高可靠性、低噪音和长寿命等特点的优秀产品。这款IGBT采用650V 60A的规格,其额定功率为270W,封装为TO247AD。 首先,我们来了解一下IXYS艾赛斯IXYH30N65C3功率半导体IGBT的技术特点。这款IGBT采用了先进的工艺技术,具有高饱和电压、高输入阻抗、低导通电阻等特点。这些特点使得IXYS艾赛斯IXYH30N65C3在
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