IXYH40N120B3D1 相关话题

标题：IXYS艾赛斯IXYH40N120B3D1功率半导体IGBT的技术和方案应用介绍 一、简述产品 IXYS艾赛斯IXYH40N120B3D1是一款功率半导体IGBT，其规格参数为1200V，86A，480W。该型号的IGBT采用了TO247封装技术，这是一种小型、高效且高可靠性的封装形式，广泛应用于各类电力电子设备中。 二、技术特点 IXYS IXYH40N120B3D1的主要技术特点包括：高输入输出电容容量、低饱和电压、高开关频率、良好的热特性等。这些特性使得它在各种高频率、高功率的电源