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IXYS艾赛斯IXYH40N120C3D1功率半导体IGBT 1200V 64A 480W TO247的技术和方案应用介绍
2024-10-09
标题:IXYS艾赛斯IXYH40N120C3D1功率半导体IGBT技术与应用介绍 随着科技的飞速发展,电力电子技术在各个领域的应用越来越广泛。IXYS艾赛斯公司的IXYH40N120C3D1功率半导体IGBT,作为一种重要的电力电子元件,在各种设备中发挥着关键作用。本文将介绍IXYS IXYH40N120C3D1的特性、技术参数以及应用方案。 首先,我们来了解一下IXYS IXYH40N120C3D1的特性。这款IGBT采用TO-247封装,具有高耐压、大电流和高热效率等特点。其工作电压高达1
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