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IXYS艾赛斯IXYH50N65C3功率半导体IGBT 650V 130A 600W TO247的技术和方案应用介绍
2025-01-15
标题:IXYS艾赛斯IXYH50N65C3功率半导体IGBT技术与应用介绍 IXYS艾赛斯公司的IXYH50N65C3功率半导体IGBT是一款具有高效率、高可靠性、低噪音和长寿命等特点的先进产品。这款650V 130A 600W的IGBT模块采用TO247封装,具有出色的散热性能和电气性能。 首先,我们来了解一下IXYS IXYH50N65C3的特性。这款IGBT采用N沟道增强型工艺,具有高耐压和低导通电阻的特点,使其在应用中具有较高的功率容量。其工作频率可以达到很高的频率,适用于各种电源和电
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