艾赛斯IXYH50N65C3H1功率半导体IGBT 650V
2024-04-02标题：IXYS艾赛斯IXYH50N65C3H1功率半导体IGBT技术与应用介绍 IXYS艾赛斯公司的IXYH50N65C3H1功率半导体IGBT是一款高效、可靠的功率电子设备，其650V、130A、600W的规格在许多应用中具有广泛的使用价值。本文将介绍这款产品的技术特点和应用方案。 一、技术特点 IXYS艾赛斯IXYH50N65C3H1功率半导体IGBT采用了先进的650V技术，具有高耐压、大电流、低损耗的特点。其内部结构采用半桥结构，具有更高的开关速度和更低的热阻，从而提高了系统的效率和可