欢迎来到亿配芯城! | 免费注册
你的位置:IXYS(艾赛斯)功率半导体IC芯片全系列-亿配芯城 > 话题标签 > IXYH50N65C3H1

IXYH50N65C3H1 相关话题

TOPIC

标题:IXYS艾赛斯IXYH50N65C3H1功率半导体IGBT技术与应用介绍 IXYS艾赛斯公司的IXYH50N65C3H1功率半导体IGBT是一款高效、可靠的功率电子设备,其650V、130A、600W的规格在许多应用中具有广泛的使用价值。本文将介绍这款产品的技术特点和应用方案。 一、技术特点 IXYS艾赛斯IXYH50N65C3H1功率半导体IGBT采用了先进的650V技术,具有高耐压、大电流、低损耗的特点。其内部结构采用半桥结构,具有更高的开关速度和更低的热阻,从而提高了系统的效率和可
  • 共 1 页/1 条记录