IXYH80N90C3 相关话题

标题：IXYS艾赛斯IXYH80N90C3功率半导体IGBT技术与应用介绍 随着科技的飞速发展，电力电子技术的应用领域越来越广泛，对高性能功率半导体器件的需求也日益增长。IXYS艾赛斯公司的IXYH80N90C3功率半导体IGBT，以其900V、165A、830W的强大性能，在诸多领域中发挥着重要作用。 首先，我们来了解一下IXYS IXYH80N90C3的特性。这款IGBT采用TO247封装，具有高耐压、大电流、高热耗等特点。其工作温度范围为-55℃至150℃，使其在各种恶劣环境下都能保持稳