IXYH82N120C3 相关话题

标题：IXYS艾赛斯IXYH82N120C3功率半导体IGBT的技术和方案应用介绍 一、简介 IXYS艾赛斯IXYH82N120C3功率半导体IGBT是一款具有高耐压、大电流特性的功率电子器件。其工作电压高达1200V，最大电流可达200A，总功率输出为1250W。其封装形式为TO247AD，具有优良的散热性能和结构紧凑的特点。 二、技术特点 1. 高压性能：IXYS IXYH82N120C3 IGBT具有出色的高压性能，能够承受高达1200V的工作电压，为各种高电压应用提供了可能。 2. 大