IGBT 1200V 240A 1500W TO264的技术
2024-03-20标题：IXYS艾赛斯IXYK120N120C3功率半导体IGBT技术与应用介绍 随着科技的飞速发展，功率半导体器件在各种电子设备中的应用越来越广泛。IXYS艾赛斯IXYK120N120C3是一款高性能的功率半导体IGBT，其特点为1200V、240A、1500W，TO264封装，具有高效、安全、节能的特点。 首先，我们来了解一下IXYS艾赛斯IXYK120N120C3的IGBT技术。这种技术采用先进的半导体工艺，如高温氧化铝绝缘层技术和金属栅极结构等，提高了器件的电气性能和热稳定性。同时，该器