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IXYS艾赛斯IXYK140N120A4功率半导体IGBT 140A 1200V TO264的技术和方案应用介绍
2024-08-05
标题:IXYS艾赛斯IXYK140N120A4功率半导体IGBT技术与应用介绍 一、技术概述 IXYS艾赛斯IXYK140N120A4功率半导体IGBT是一款高性能的功率电子器件,其工作电压高达1200V,电流容量为140A,适用于各种高功率电子设备中。这种器件具有较高的开关速度,且在高温、高压等恶劣环境下仍能保持良好的性能。 二、工作原理 IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor)是一种复合功率半导体器件,它结合了晶体管的高输入阻抗和二极管的反向阻隔能力。
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