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IXYS艾赛斯IXYP15N65C3D1M功率半导体IGBT 650V 16A 48W TO-220的技术和方案应用介绍
2024-11-26
标题:IXYS艾赛斯IXYP15N65C3D1M功率半导体IGBT的技术和方案应用介绍 IXYS艾赛斯IXYP15N65C3D1M功率半导体IGBT是一款高性能的功率电子器件,它集成了先进的半导体工艺技术,具有高效率、高可靠性、低噪音、易于控制等优点,被广泛应用于各种电子设备中。 首先,我们来了解一下IXYS艾赛斯IXYP15N65C3D1M的参数。这款IGBT的额定电压为650V,最大电流为16A,最大输出功率为48W。它采用TO-220封装,具有优良的热性能和电气性能,使得它在高温、高电压
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