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IXYS艾赛斯IXYP20N120C3功率半导体IGBT 1200V 40A 278W TO-220的技术和方案应用介绍
2024-08-30
标题:IXYS艾赛斯IXYP20N120C3功率半导体IGBT的技术和方案应用介绍 一、技术概述 IXYS艾赛斯IXYP20N120C3功率半导体IGBT是一款高性能的绝缘栅双极型晶体管(IGBT),其工作电压高达1200V,电流容量为40A,最高功率输出为278W。这种器件在电气特性上表现出色,适用于各种工业应用场景,如电机驱动、电源转换、加热设备等。 二、工作原理 IGBT是一种复合型功率半导体器件,结合了晶体管和双极型功率器件的优点。IXYS艾赛斯IXYP20N120C3 IGBT在输入
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