IXYR50N120C3D1 相关话题

标题：IXYS艾赛斯IXYR50N120C3D1功率半导体IGBT技术及方案应用介绍 一、简介 IXYS艾赛斯IXYR50N120C3D1功率半导体IGBT是一款具有高性能、高可靠性、高效率的1200V 56A 290W IGBT。该器件以其卓越的性能和稳定的运行表现，广泛应用于各种电源设备中，如UPS电源、风能、太阳能等新能源领域。 二、技术特点 IXYS IXYR50N120C3D1采用ISOPLUS247技术，具有以下特点： 1. 高电压和大电流能力：这款器件能够承受高达1200V的电压