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IXYS艾赛斯IXYX100N120B3功率半导体IGBT 1200V 188A 1150W PLUS247的技术和方案应用介绍
2024-05-31
标题:IXYS艾赛斯IXYX100N120B3功率半导体IGBT技术及方案应用介绍 随着科技的飞速发展,电力电子技术的应用领域越来越广泛,对高性能功率半导体器件的需求也日益增长。IXYS艾赛斯公司的IXYX100N120B3功率半导体IGBT,以其卓越的性能和稳定性,成为了众多应用场景下的首选。 IXYS艾赛斯IXYX100N120B3功率半导体IGBT是一款具有1200V、188A、1150W Plus247技术特性的产品。其出色的性能表现在于:首先,它具有高耐压、大电流的特点,适用于各种大
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