欢迎来到亿配芯城! | 免费注册
你的位置:IXYS(艾赛斯)功率半导体IC芯片全系列-亿配芯城 > 话题标签 > IGBT

IGBT 相关话题

TOPIC

标题:意法半导体STGP6NC60HD半导体IGBT 600V 15A 56W TO220的技术和方案介绍 意法半导体的STGP6NC60HD半导体IGBT,是一款适用于各种电子设备的核心元件。这款产品具有600V的电压规格,能够承受高达15A的电流,以及56W的功率损耗。其小巧的封装设计,使其在许多应用场景中都具备了出色的性能表现。 STGP6NC60HD的特性包括高输入阻抗、低导通压降、快速开关性能以及高可靠性。这些特性使得它在各种电源和电机控制应用中表现优异,如UPS电源、变频空调、风能
标题:意法半导体STGW39NC60VD IGBT 600V 80A 250W TO247的技术和方案介绍 意法半导体(ST)的STGW39NC60VD IGBT是一种高效、可靠的功率半导体,适用于各种电源和电机控制应用。这款IGBT具有600V的额定电压,80A的额定电流,以及250W的额定功率。它采用了TO247封装,使得其具有高功率密度和良好的热导热性能。 STGW39NC60VD IGBT采用了先进的技术和材料,使其在高温和高电压下仍能保持良好的性能。其导通电阻低,开关速度快,能够快速
Infineon英飞凌F3L75R07W2E3B11BOMA1模块IGBT MODULE 650V 95A 250W参数及应用方案 随着科技的不断进步,电子设备对功率器件的需求越来越高。在众多功率器件中,IGBT(绝缘栅双极晶体管)模块因其高效、可靠和节能的特点,成为了电力电子领域的重要元件。今天,我们将详细介绍一款来自Infineon英飞凌的F3L75R07W2E3B11BOMA1模块IGBT MODULE,其具有650V、95A和250W的参数,以及相应的应用方案。 首先,我们来了解一下这
微芯半导体APT50GT120B2RG半导体IGBT 1200V 94A 625W TO247技术介绍及方案应用 微芯半导体APT50GT120B2RG半导体IGBT是一款高性能的1200V 94A 625W TO247封装的绝缘栅双极型晶体管。这款器件具有高输入阻抗,低导通压降和快速开关特性,特别适合应用于各种高电压,大电流的电源和电机驱动系统中。 技术特点: * 1200V耐压 * 94A电流 * 625W功率 * 高输入阻抗 * 低导通压降 * 快速开关特性 应用方案: * 电源系统:适
标题:微芯半导体APT75GN60LDQ3G半导体IGBT 600V 155A 536W TO264的技术和方案介绍 微芯半导体APT75GN60LDQ3G是一款高性能的半导体IGBT,采用TO264封装,具有600V 155A 536W的规格。这款IGBT在工业、电源和电机控制等领域具有广泛的应用。 技术特点: 1. 600V的额定电压,适用于需要较高电压应用的场景。 2. 155A的额定电流,能够满足大电流应用的需求。 3. 536W的额定功率,具有较高的功率密度。 4. 采用TO264封