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标题:IXYS艾赛斯IXBH12N300功率半导体IGBT技术与应用介绍 IXYS艾赛斯公司的IXBH12N300功率半导体IGBT是一款高性能的功率电子器件,它具有30A的电流容量和160W的功率输出,适用于各种电子设备中。本文将介绍IXBH12N300的特性和应用,以及相关的技术方案。 首先,让我们了解一下IXBH12N300的特点。这款IGBT采用了IXYS艾赛斯公司的高压技术,具有高可靠性、高效率、低损耗等优点。它具有3000V的额定电压,能够承受较大的电流和电压变化,适用于各种高电压
标题:IXYS艾赛斯IXYX30N170CV1功率半导体器件的技术和方案应用介绍 随着科技的飞速发展,功率半导体器件在各个领域的应用越来越广泛。IXYS艾赛斯公司的IXYX30N170CV1功率半导体器件,以其卓越的性能和可靠性,成为了市场上的明星产品。本文将详细介绍IXYS艾赛斯IXYX30N170CV1功率半导体器件的技术和方案应用。 首先,我们来了解一下IXYS艾赛斯IXYX30N170CV1功率半导体器件的技术特点。这款器件采用IXYS公司自主研发的高压XPT IGB技术,具有1700
标题:IXYS艾赛斯IXBH16N170A功率半导体IGBT技术与应用介绍 一、技术概述 IXYS艾赛斯IXBH16N170A功率半导体IGBT是一款高性能的功率电子器件,其工作电压高达1700V,电流容量为16A,最大输出功率为150W。这种器件广泛应用于各种需要大功率、高效率的电子设备中,如电源转换、电机驱动、加热设备等。 二、特点与优势 IXBH16N170A的IGBT模块采用TO-247AD封装,具有紧凑的尺寸、高可靠性和长寿命等特点。其优越的性能表现在高电压、大电流和高热效率等方面,
标题:IXYS艾赛斯IXBH16N170功率半导体IGBT技术与应用介绍 一、简述产品 IXYS艾赛斯IXBH16N170是一款高性能的功率半导体IGBT,其特点为1700V的电压等级,40A的电流容量和250W的功率输出。这款IGBT模块采用TO247AD封装,具有紧凑的尺寸和良好的热性能,特别适合于高功率密度应用。 二、技术特点 IXBH16N170 IGBT的主要技术特点包括其高电压和大电流能力。这种器件能够在高电压下保持低导通电阻,从而提供高效的电能传输。此外,其良好的热性能使其在高温
标题:IXYS艾赛斯IXGT16N170A功率半导体IGBT技术与应用介绍 一、技术简述 IXYS艾赛斯IXGT16N170A功率半导体IGBT是一种重要的功率电子设备,其应用范围广泛,涵盖了电力转换、电机驱动、电子变压器等多个领域。此款IGBT的特点在于其高耐压、大电流和高热稳定性,适用于各种高功率场合。 二、特性详解 1. 额定值:该款IGBT的额定电压为1700V,额定电流为16A,额定功率为190W。 2. 封装形式:TO268,方便安装和散热。 3. 技术规格:IXGT16N170A
标题:IXYS艾赛斯IXYH80N90C3功率半导体IGBT技术与应用介绍 随着科技的飞速发展,电力电子技术的应用领域越来越广泛,对高性能功率半导体器件的需求也日益增长。IXYS艾赛斯公司的IXYH80N90C3功率半导体IGBT,以其900V、165A、830W的强大性能,在诸多领域中发挥着重要作用。 首先,我们来了解一下IXYS IXYH80N90C3的特性。这款IGBT采用TO247封装,具有高耐压、大电流、高热耗等特点。其工作温度范围为-55℃至150℃,使其在各种恶劣环境下都能保持稳
标题:IXYS艾赛斯IXYH50N120C3功率半导体IGBT技术及方案应用介绍 一、技术简述 IXYS艾赛斯IXYH50N120C3功率半导体IGBT是一款高性能的绝缘栅双极型晶体管(IGBT),其工作电压高达1200V,电流容量为100A,最高结温可达到750W。这款功率半导体器件具有高输入阻抗、低导通压降、开关速度快等特点,适用于各种高电压、大电流的电源系统。 二、应用领域 1. 工业电源:IXYS IXYH50N120C3可广泛应用于工业电源领域,如风力发电、太阳能光伏发电等。其高速的
标题:IXYS艾赛斯IXBA14N300HV功率半导体REVERSE CONDUCTING IGBT的技术与方案应用介绍 随着科技的飞速发展,电力电子设备在我们的日常生活中扮演着越来越重要的角色。IXYS艾赛斯公司的IXBA14N300HV功率半导体,一款具有反向导通能力的IGBT,凭借其卓越的性能和可靠性,在众多应用领域中发挥着关键作用。 首先,让我们了解一下IGBT的基本原理。IGBT是一种复合型半导体,具有高低压两种类型,是当前应用最广泛的电力电子开关器件。IXBA14N300HV属于其
标题:IXYS艾赛斯IXBA16N170AHV功率半导体REVERSE CONDUCTING IGBT的技术与方案应用介绍 随着科技的飞速发展,电力电子技术也在不断进步,IXYS艾赛斯公司推出的IXBA16N170AHV功率半导体REVERSE CONDUCTING IGBT就是其中一颗璀璨的明星。这款产品在许多领域都有着广泛的应用,如电动汽车、风力发电、太阳能、工业电源等。 首先,我们来了解一下IXYS艾赛斯IXBA16N170AHV功率半导体REVERSE CONDUCTING IGBT的
标题:IXYS艾赛斯IXYH8N250CV1HV功率半导体IGBT技术与应用介绍 一、背景概述 IXYS艾赛斯IXYH8N250CV1HV功率半导体IGBT是一种重要的电力电子半导体器件,在电力转换、传输和控制过程中起着关键作用。它广泛应用于各种电子设备中,如家用电器、工业设备、电动汽车和风力发电设备等。 二、技术特点 IXYS IXYH8N250CV1HV IGBT具有以下技术特点: 1. 2500V/29A的额定电压和电流,能够承受高电压和大电流的冲击,适用于各种高功率应用场景。 2. T