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标题:IXYS艾赛斯IXYH50N170C功率半导体IGBT技术与应用介绍 随着科技的飞速发展,电力电子技术在现代工业、交通、家电等领域的应用越来越广泛。IXYS艾赛斯公司生产的IXYH50N170C功率半导体IGBT,以其卓越的性能和可靠性,成为了众多应用场景的理想选择。 IXYS IXYH50N170C是一款具有高性能和大规模应用的IGBT。它采用TO-247封装,具有高耐压(1700V)和大电流(178A)的特点,适用于各种需要大功率转换的场合。 首先,我们来了解一下IXYS IXYH5
标题:IXYS艾赛斯IXYR50N120C3D1功率半导体IGBT技术及方案应用介绍 一、简介 IXYS艾赛斯IXYR50N120C3D1功率半导体IGBT是一款具有高性能、高可靠性、高效率的1200V 56A 290W IGBT。该器件以其卓越的性能和稳定的运行表现,广泛应用于各种电源设备中,如UPS电源、风能、太阳能等新能源领域。 二、技术特点 IXYS IXYR50N120C3D1采用ISOPLUS247技术,具有以下特点: 1. 高电压和大电流能力:这款器件能够承受高达1200V的电压
随着电力电子技术的不断发展,功率半导体器件在各种领域中的应用越来越广泛。IXYS艾赛斯作为一家专业从事功率半导体器件研发、生产和销售的公司,其IXYP30N120C4IGBT DISCRETE TO-220型号产品在市场上受到了广泛关注。本文将介绍IXYS艾赛斯IXYP30N120C4功率半导体IGBT DISCRETE TO-220的技术和方案应用。 一、技术特点 IXYS艾赛斯IXYP30N120C4功率半导体IGBT DISCRETE TO-220采用先进的生产工艺,具有以下技术特点: