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标题:IXYS艾赛斯IXBH6N170功率半导体IGBT技术与应用介绍 IXYS艾赛斯公司的IXBH6N170功率半导体IGBT是一款具有高电压和大电流能力的产品,适用于各种电子设备,如电源转换器、电机驱动器、加热器和照明系统等。这款IGBT的特点包括1700V的额定电压,12A的额定电流,以及75W的额定功率。其封装形式为TO247AD,使其具有优良的热性能和机械性能。 首先,我们来了解一下IXBH6N170的技术特点。这款IGBT采用了IXYS艾赛斯公司独特的工艺技术,具有高开关速度、低损
标题:IXYS艾赛斯IXYH90N65A5功率半导体IGBT 650V 90A X5 XPT TO-247的技术和方案应用介绍 随着电力电子技术的发展,功率半导体器件在各种工业应用中发挥着越来越重要的作用。IXYS艾赛斯公司生产的IXYH90N65A5功率半导体IGBT,以其出色的性能和稳定的可靠性,在众多领域得到了广泛的应用。本文将围绕IXYS IXYH90N65A5功率半导体IGBT的技术和方案应用进行介绍。 一、技术特性 IXYS IXYH90N65A5功率半导体IGBT是一款650V的
标题:IXYS艾赛斯IXGH72N60A3功率半导体IGBT 600V 75A 540W TO247的技术和方案应用介绍 一、概述 IXYS艾赛斯IXGH72N60A3是一款高性能的功率半导体IGBT,其额定电压为600V,最大电流为75A,总功率为540W。该器件采用TO247封装,具有紧凑的结构和良好的热性能,适用于各种高功率电子设备中。 二、技术特点 1. 快速导通和关断特性:IXGH72N60A3具有快速导通和关断特性,能够快速响应电路的开关状态,从而减小了电路的功耗和发热量。 2.
标题:IXYS艾赛斯IXGT32N120A3功率半导体IGBT技术与应用介绍 随着科技的飞速发展,功率半导体器件在各种电子设备中的应用越来越广泛。IXYS艾赛斯公司的IXGT32N120A3功率半导体IGBT,以其卓越的性能和可靠性,成为了众多电子设备中的关键元件。 IXGT32N120A3是一款1200V、75A、300W的TO268封装IGBT。这款器件的特点在于其高耐压、大电流和大功率,使其在各种高电压大电流的场合中都能发挥出色。其优越的性能和紧凑的封装,使得它在许多工业和消费电子产品中
标题:IXYS艾赛斯IXGH10N170A功率半导体IGBT技术与应用介绍 随着电力电子技术的快速发展,功率半导体器件在各种电子设备中的应用越来越广泛。IXYS艾赛斯公司的IXGH10N170A功率半导体IGBT,以其出色的性能和卓越的能效,成为当今电力电子设备中的重要组成部分。本文将介绍IXGH10N170A的技术特点和方案应用。 一、技术特点 IXGH10N170A是一款高性能的功率半导体IGBT,具有以下特点: 1. 1700V的耐压值,保证了其在高电压应用中的稳定性和安全性。 2. 1
标题:IXYS艾赛斯IXGH24N120C3功率半导体IGBT技术与应用介绍 一、概述 IXYS艾赛斯IXGH24N120C3功率半导体IGBT是一款高性能的1200V 48A 250W的TO247封装功率器件。这款器件以其出色的性能和可靠性,广泛应用于各种高功率电子设备中,如逆变器、电源转换器、电机驱动等。 二、技术特点 IXGH24N120C3功率半导体IGBT具有以下主要技术特点: 1. 高压和大电流能力:这款器件能够在高达1200V的电压下工作,提供高达48A的电流输出,这使得它适用于
标题:IXYS艾赛斯IXGP30N120B3功率半导体IGBT技术与应用介绍 一、简介 IXYS艾赛斯IXGP30N120B3功率半导体IGBT是一款高性能的1200V 60A 300W的TO220封装的IGBT。它是一种重要的功率电子器件,广泛应用于各种电子设备中,如电源转换器、电机驱动器、加热器和照明系统等。 二、技术特点 IXYS艾赛斯IXGP30N120B3功率半导体IGBT的主要技术特点包括高输入阻抗、低导通压降、快速开关特性以及高重复性。这些特性使得它在高效率电源转换和节能应用中具
标题:IXYS艾赛斯IXYP20N120C3功率半导体IGBT的技术和方案应用介绍 一、技术概述 IXYS艾赛斯IXYP20N120C3功率半导体IGBT是一款高性能的绝缘栅双极型晶体管(IGBT),其工作电压高达1200V,电流容量为40A,最高功率输出为278W。这种器件在电气特性上表现出色,适用于各种工业应用场景,如电机驱动、电源转换、加热设备等。 二、工作原理 IGBT是一种复合型功率半导体器件,结合了晶体管和双极型功率器件的优点。IXYS艾赛斯IXYP20N120C3 IGBT在输入
标题:IXYS艾赛斯IXA20I1200PB功率半导体IGBT的技术和方案应用介绍 一、简述产品 IXYS艾赛斯IXA20I1200PB是一款功率半导体IGBT,它具有高电压、大电流、高效率的特点,适用于各种电子设备,如逆变器、开关电源等。这款IGBT采用TO220封装,具有紧凑的尺寸和良好的散热性能。 二、技术特点 IXA20I1200PB采用IXYS艾赛斯自主研发的先进技术,具有高可靠性、低损耗和高开关速度等优点。其工作电压为1200V,电流容量为33A,总功率为130W,使得它在高效率电
标题:IXYS艾赛斯IXA12IF1200PB功率半导体IGBT技术与应用介绍 随着科技的飞速发展,电子设备在我们的日常生活中扮演着越来越重要的角色。在这个背景下,功率半导体器件,如IXYS艾赛斯IXA12IF1200PB IGBT,成为了关键的角色。IXA12IF1200PB是一款具有1200V、20A、85W特性的TO-220封装的功率半导体IGBT。 首先,我们来了解一下IXA12IF1200PB的特性。这款IGBT器件具有高输入阻抗、低导通压降、快速开关特性以及高可靠性等优点。其工作频