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艾赛斯IXYH24N170C功率半导体IGBT 1
发布日期:2024-03-16 09:38     点击次数:188

标题:IXYSIXYH24N170C功率半导体IGBT技术及应用介绍

一、简介

IXYSIXYH24N170C是一款高性能功率半导体IGBT,其技术规格和性能特点使其在电力转换和电子设备中具有广阔的应用前景。该IGBT模块采用TO247-3包装,额定电压为1.7KV,额定电流为58A,适用于各种高功率和高压应用场景。

二、技术特点

IXYSIXYH24N170CIGBT模块采用先进的制造工艺,具有以下技术特点:

1. 高导热性:模块采用优质导热材料,保证高导热性,能有效地将热量传递到外部散热器,提高系统效率。

2. 高压承载能力:模块的IGBT设备具有较高的耐压水平,能承受较大的电压波动,提高系统的安全性和稳定性。

3. 集成保护电路:过流、过热等保护电路集成在模块内, 芯片采购平台可实时监控系统的运行状态,在异常情况下自动保护电路,确保系统的安全运行。

三、应用方案

IXYSIXYH24N170C功率半导体IGBT广泛应用于以下领域:

1. 工业电源:适用于UPS电源、充电桩等各种大功率电源设备,能实现高效、稳定的电能转换。

2. 电动汽车:适用于电动汽车的充电系统,可实现高效的电能转换和控制,提高电动汽车的续航能力。

3. 风力发电:适用于风力发电机的驱动系统,可实现高效的风能转换和控制,提高风力发电的效率和稳定性。

此外,IXYSIXYH24N170C功率半导体IGBT还适用于太阳能发电、高压直流电源等其他高功率和高压应用场景。

综上所述,IXYSIXYH24N170C功率半导体IGBT为各种高功率、高压应用提供了理想的解决方案,具有高性能、高稳定性和高可靠性。