IXYSIXYH82N120C3功率半导体IGBT技术及方案应用介绍

一、简介

IXYSIXYH82N120C3功率半导体IGBT是一种耐压性高、电流特性大的功率电子设备。其工作电压高达1200V，最大电流可达200A，总功率输出为1250W。其包装形式为TO247AD，散热性能优异，结构紧凑。

二、技术特点

1. 高压性能：IXYS IXYH82N20C IGBT具有优异的高压性能，能承受高达1200V的工作电压，为各种高压应用提供了可能性。

2. 大电流容量：其最大电流可达200A，使该装置广泛应用于电机驱动、逆变器等需要大电流的场合。

3. 温度稳定性：TO247AD包装具有良好的散热性能，保证了IGBT在工作过程中的稳定性， 亿配芯城 延长了其使用寿命。

三、方案应用

1. 电机驱动：IXYS IXYH82N20C IGBT可广泛应用于电动汽车、电动工具等电机驱动系统。通过合理的驱动和控制策略，实现高效稳定的电机运行。

2. 逆变器：在太阳能、风能等新能源发电领域，IXYS XYH82N1 IGBT是逆变器的理想选择。它能将直流电转换为交流电，并具有较高的转换效率。

3. 工业电源：IXYS IXYH82N20C IGBT也广泛应用于UPS电源、高频加热电源等工业电源领域。通过合理的控制策略，可以实现高效稳定的电源输出。

四、总结

IXYSIXYH82N120C3功率半导体IGBT具有优异的高压性能、大电流能力和良好的温度稳定性，在各种高压、大电流场合具有广阔的应用前景。通过合理的驱动和控制策略，可以充分发挥其性能，实现高效、稳定的系统运行。

• 电子元器件采购网
• IXYS
• 艾赛
• 功率
• IXYH82N120C3