芯片产品
热点资讯
- NXP Semiconductors PN5331B3HN/C270,55
- IXYS艾赛斯IXYT55N120A4HV功率半导体IGBT GENX4 1200V 55A TO268HV的技术和方案
- IXYS艾赛斯IXGH10N170功率半导体IGBT 1700V 20A 110W TO247的技术和方案应用介绍
- IXYS艾赛斯IXGH28N60B3D1功率半导体IGBT 600V 66A 190W TO247AD的技术和方案应用介
- IXYS艾赛斯IXGP30N120B3功率半导体IGBT 1200V 60A 300W TO220的技术和方案应用介绍
- IXYS艾赛斯IXYK110N120C4功率半导体IGBT 1200V 110A GEN4 XPT TO264的技术和方
- IXYS的客户服务和售后支持有哪些特色和优势?
- IXYS艾赛斯IXGH32N170功率半导体IGBT 1700V 75A 350W TO247AD的技术和方案应用介绍
- IXYS艾赛斯IXBH20N360HV功率半导体
- IXYS艾赛斯IXGK100N170功率半导体IGBT PT 1000V 120A TO-264的技术和方案应用介绍
你的位置:IXYS(艾赛斯)功率半导体IC芯片全系列-亿配芯城 > 芯片产品 > 艾赛斯IXXH110N65C4功率半导体IGBT 650V
艾赛斯IXXH110N65C4功率半导体IGBT 650V
- 发布日期:2024-03-31 09:17 点击次数:113
IXYSIXH110N65C4功率半导体IGBT技术及应用介绍
功率半导体IGBT,即绝缘栅双极晶体管,是一种重要的电子元件,广泛应用于各种电力电子设备中。本文将介绍IXXH110N65C4功率半导体IGBT,包括其技术特点、规格参数、应用方案等。
一、技术特点
IXXH110N65C4功率半导体IGBT采用了IXYS艾赛斯公司独特的技术,包括高压设计、高速开关特性、高电流容量等。该设备能承受650V电压下高达234A的电流,并具有880W的输出功率。这使得该设备在许多高功率应用程序中具有优异的性能。
二、规格参数
该设备采用TO247AD包装形式,尺寸紧凑,散热性能好。此外,该设备还具有导电阻低、开关损耗低等优点,在各种电力电子设备中表现良好。
三、应用方案
1. IXXH110N65C4功率半导体IGBT适用于UPS电源、变频器、充电器等各种电源模块。由于其高电压、高电流容量和快速开关特性, 芯片采购平台该设备可以有效地提高电源模块的效率和可靠性。
2. 电机驱动:IXXH110N65C4适用于电动汽车电机、家用电机等各种电机驱动。通过使用该设备,可以降低电机的能耗,提高其效率和可靠性。
3. 工业控制:IXXH110N65C4功率半导体IGBT适用于数控机床、机器人等各种工业控制设备。通过使用该设备,可以提高设备的控制精度和效率。
一般来说,IXYS艾赛斯的IXXH110N65C4功率半导体IGBT性能优异,适用于各种高功率、高压、大电流的应用场景。该设备通过合理的电路设计和应用方案,可以有效地提高设备的效率和可靠性,降低能耗,提高其性能。此外,该装置还具有热稳定性好、成本低等特点,使其在市场上具有较高的竞争力。
相关资讯
- IXYS艾赛斯IXA70R1200NA功率半导体DISC IGBT XPT-GENX3 SOT-227B(MIN的技术和方案应用介绍2024-09-21
- IXYS艾赛斯IXGH32N170A功率半导体IGBT 1700V 32A 350W TO247的技术和方案应用介绍2024-09-20
- IXYS艾赛斯IXXK160N65B4功率半导体IGBT 650V 310A 940W TO264的技术和方案应用介绍2024-09-19
- IXYS艾赛斯IXXX110N65B4H1功率半导体IGBT 650V 240A 880W PLUS247的技术和方案应用介绍2024-09-18
- IXYS艾赛斯IXYH24N170CV1功率半导体IGBT 1.7KV 58A TO247的技术和方案应用介绍2024-09-17
- IXYS艾赛斯IXGH2N250功率半导体IGBT 2500V 5.5A 32W TO247的技术和方案应用介绍2024-09-16