芯片产品
热点资讯
- IXYS艾赛斯IXGH28N60B3D1功率半导体IGBT 600V 66A 190W TO247AD的技术和方案应用介
- NXP Semiconductors PN5331B3HN/C270,55
- IXYS艾赛斯IXGH10N170功率半导体IGBT 1700V 20A 110W TO247的技术和方案应用介绍
- IXYS艾赛斯IXYT55N120A4HV功率半导体IGBT GENX4 1200V 55A TO268HV的技术和方案
- IXYS艾赛斯IXGP30N120B3功率半导体IGBT 1200V 60A 300W TO220的技术和方案应用介绍
- IXYS艾赛斯IXYK110N120C4功率半导体IGBT 1200V 110A GEN4 XPT TO264的技术和方
- IXYS的客户服务和售后支持有哪些特色和优势?
- IXYS艾赛斯IXGH32N170功率半导体IGBT 1700V 75A 350W TO247AD的技术和方案应用介绍
- IXYS艾赛斯IXYR100N120C3功率半导体IGBT 1200V 104A 484W ISOPLUS247的技术和
- IXYS艾赛斯IXBH20N360HV功率半导体
- 发布日期:2024-10-20 09:26 点击次数:154
标题:IXYS艾赛斯IXGR6N170A功率半导体IGBT的技术和方案应用介绍
IXYS艾赛斯公司是全球功率半导体领域的领导者之一,其IXGR6N170A功率半导体IGBT是该公司在这一领域的重要产品之一。这款IGBT器件具有卓越的性能和可靠性,适用于各种工业和商业应用。
IXGR6N170A IGBT的规格参数为:1700V,5.5A,50W。这些参数代表了该器件在高压、大电流应用中的出色性能。其工作电压高达1700V,这意味着它可以承受高电压,从而在需要高功率转换的应用中发挥作用。而5.5A的额定电流则表明该器件在正常工作条件下具有高导通能力。至于50W的额定功率,这表示该器件在短时间的高负载条件下也能保持稳定。
IXYS艾赛斯公司为其IXGR6N170A IGBT配备了ISOPLUS247的技术和方案应用。ISOPLUS247是一种先进的封装技术,它结合了散热性能和电气性能的最佳特性,为器件提供了更高的热导率和更低的电磁干扰。这种封装技术有助于提高器件的效率和可靠性, 芯片采购平台延长其使用寿命。
在方案应用方面,IXGR6N170A IGBT适用于各种需要高功率转换和高效能散热的应用场景,如电力转换系统、电动工具、风力发电、太阳能光伏系统等。在这些应用中,IXGR6N170A的高压和大电流特性使其成为理想的选择。同时,其ISOPLUS247的封装技术和IXYS艾赛斯公司提供的一体化解决方案,使得客户能够更方便地设计和制造高效、可靠的功率转换系统。
总的来说,IXYS艾赛斯公司的IXGR6N170A功率半导体IGBT以其卓越的性能和可靠性,以及ISOPLUS247的封装技术和一体化解决方案,为各种需要高功率转换和高效能散热的应用场景提供了理想的解决方案。
- IXYS艾赛斯IXGF25N250功率半导体IGBT 2500V 30A 114W I4-PAK的技术和方案应用介绍2024-10-31
- IXYS艾赛斯IXBT14N300HV功率半导体REVERSE CONDUCTING IGBT的技术和方案应用介绍2024-10-30
- IXYS艾赛斯MMIX1X200N60B3H1功率半导体IGBT 600V 175A 520W SMPD的技术和方案应用介绍2024-10-29
- IXYS艾赛斯IXBH20N300功率半导体IGBT 3000V 50A 250W TO247的技术和方案应用介绍2024-10-28
- IXYS艾赛斯IXGX120N120A3功率半导体IGBT 1200V 240A 830W PLUS247的技术和方案应用介绍2024-10-27
- IXYS艾赛斯IXXK300N60B3功率半导体IGBT 600V 550A 2300W TO264的技术和方案应用介绍2024-10-26