芯片产品
热点资讯
- IXYS艾赛斯IXGH28N60B3D1功率半导体IGBT 600V 66A 190W TO247AD的技术和方案应用介
- NXP Semiconductors PN5331B3HN/C270,55
- IXYS艾赛斯IXYT55N120A4HV功率半导体IGBT GENX4 1200V 55A TO268HV的技术和方案
- IXYS艾赛斯IXGH10N170功率半导体IGBT 1700V 20A 110W TO247的技术和方案应用介绍
- IXYS艾赛斯IXGP30N120B3功率半导体IGBT 1200V 60A 300W TO220的技术和方案应用介绍
- IXYS艾赛斯IXYK110N120C4功率半导体IGBT 1200V 110A GEN4 XPT TO264的技术和方
- IXYS的客户服务和售后支持有哪些特色和优势?
- IXYS艾赛斯IXGH32N170功率半导体IGBT 1700V 75A 350W TO247AD的技术和方案应用介绍
- IXYS艾赛斯IXYR100N120C3功率半导体IGBT 1200V 104A 484W ISOPLUS247的技术和
- IXYS艾赛斯IXBH42N250功率半导体BIMOSFET TRANS 2500V 42A TO-247A的技术和方案
你的位置:IXYS(艾赛斯)功率半导体IC芯片全系列-亿配芯城 > 芯片产品 > IXYS艾赛斯IXBH10N170功率半导体IGBT 1700V 20A 140W TO247AD的技术和方案应用介绍
IXYS艾赛斯IXBH10N170功率半导体IGBT 1700V 20A 140W TO247AD的技术和方案应用介绍
- 发布日期:2024-11-08 09:57 点击次数:150
标题:IXYS艾赛斯IXBH10N170功率半导体IGBT技术与应用介绍
一、概述
IXYS艾赛斯IXBH10N170是一款高性能的功率半导体IGBT,其技术参数包括1700V的电压,20A的电流以及140W的功率输出。这款IGBT广泛应用于各种需要大功率转换和传输的电子设备中,如逆变器、电源系统、电动汽车、风力发电等。
二、技术特点
IXBH10N170 IGBT采用了IXYS艾赛斯独特的工艺技术,具有高效率、低损耗和高可靠性等特点。其内部结构优化,使得在电力转换过程中,热损耗和电子损失大大降低。此外,IXBH10N170 IGBT还具有快速开关特性,使得其在瞬态切换过程中,响应速度快,无延迟,这对于需要频繁切换的设备来说,如电动汽车和风力发电等, 芯片采购平台具有重要意义。
三、方案应用
IXBH10N170 IGBT的应用非常广泛,下面我们列举几个典型的应用方案:
1. 电源系统:IXBH10N170 IGBT可以作为电源转换器的核心器件,用于提高电源转换的效率和稳定性。
2. 逆变器:在电动汽车和风力发电中,IXBH10N170 IGBT作为逆变器的主要器件,负责将直流电转换为交流电,并传输到负载中。
3. 工业设备:在需要大功率转换和传输的工业设备中,如感应加热设备,IXBH10N170 IGBT也可以发挥重要作用。
四、结论
IXBH10N170 IGBT以其卓越的性能和广泛的应用领域,展现了其在现代电力电子系统中的重要地位。IXYS艾赛斯作为该产品的生产厂家,其独特的技术和产品优势使得IXBH10N170 IGBT在市场上具有很强的竞争力。未来,随着电力电子技术的不断发展,IXBH10N170 IGBT的应用领域还将不断扩大。
相关资讯
- IXYS艾赛斯IXYP15N65C3D1功率半导体IGBT 650V 38A 200W TO220的技术和方案应用介绍2024-11-21
- IXYS艾赛斯IXYP15N65C3功率半导体IGBT 650V 38A 200W TO220的技术和方案应用介绍2024-11-20
- IXYS艾赛斯IXA4IF1200UC-TUB功率半导体DISC IGBT XPT-GENX3 TO-252D的技术和方案应用介绍2024-11-19
- IXYS艾赛斯IXYY8N90C3-TRL功率半导体IXYY8N90C3 TRL的技术和方案应用介绍2024-11-18
- IXYS艾赛斯IXA4I1200UC-TUB功率半导体DISC IGBT XPT-GENX3 TO-252D的技术和方案应用介绍2024-11-17
- IXYS艾赛斯IXA4I1200UC-TRL功率半导体IGBT 1200V 9A 45W TO252AA的技术和方案应用介绍2024-11-16