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2024-03
艾赛斯IXYP50N65C3功率半导体IGBT 650V 1
标题：IXYS艾赛斯IXYP50N65C3功率半导体IGBT技术与应用介绍 IXYS艾赛斯公司生产的IXYP50N65C3功率半导体IGBT是一款650V 130A 600W的功率器件，其广泛应用在各种电子设备中，如UPS电源、电源模块、变频器、电机驱动器、风能与太阳能逆变器等。 首先，我们来了解一下IXYS艾赛斯IXYP50N65C3的IGBT技术。这款器件采用TO-220金属封装，具有高热导率，能够快速有效地散发热量。此外，它还采用了先进的工艺技术，具有高饱和电压和低静态电流等特性，这使得
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2024-03
IXYS艾赛斯IXEL40N400功率半导体
随着电力电子技术的不断发展，功率半导体器件在各种工业应用中发挥着越来越重要的作用。IXYS艾赛斯公司作为一家专业从事功率半导体器件研发和生产的企业，其IXEL40N400功率半导体IGBT在市场上备受关注。本文将介绍IXEL40N400的特点、技术参数、应用方案以及优势。 一、产品概述 IXEL40N400是一种采用IXYS艾赛斯ISOPLUSI5技术的N沟道绝缘栅双极型晶体管（IGBT）。该器件具有高输入阻抗、低导通压降和快开关特性，适用于各种工业应用，如电机驱动、电源转换、变频器等。 二、
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2024-03
IXYS艾赛斯IXBH20N360HV功率半导体
标题：IXYS艾赛斯IXBH20N360HV功率半导体IGBT的技术和方案应用介绍 IXYS艾赛斯公司的IXBH20N360HV功率半导体IGBT是一种重要的电子元件，它在各种电子设备中发挥着至关重要的作用。本文将详细介绍IXBH20N360HV的技术和方案应用。 首先，让我们来了解一下IXBH20N360HV的技术特点。该器件采用IXYS公司特有的封装技术，确保了其优秀的散热性能和电气性能。它具有高开关速度、低导通电阻和低栅极电荷等优点，使得其在各种电源和电机控制系统中表现出色。此外，IXB
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2024-03
艾赛斯IXYT30N450HV功率半导体IGBT的技术和方案
标题：IXYS艾赛斯IXYT30N450HV功率半导体IGBT的技术和方案应用介绍 随着科技的飞速发展，电力电子技术在现代工业、交通、家电等领域的应用越来越广泛。IXYS艾赛斯公司的IXYT30N450HV功率半导体IGBT作为一种重要的电力电子器件，在各种设备中发挥着关键作用。本文将详细介绍IXYS IXYT30N450HV功率半导体IGBT的技术和方案应用。 首先，我们来了解一下IXYS IXYT30N450HV功率半导体IGBT的技术特点。IXYS IXYT30N450HV是一种绝缘栅双
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2024-03
艾赛斯IXYT25N250CHV功率半导体
标题：IXYS艾赛斯IXYT25N250CHV功率半导体IGBT技术与应用介绍 随着科技的飞速发展，电力电子技术在现代工业、交通、医疗等领域的应用越来越广泛。IXYS艾赛斯公司的IXYT25N250CHV功率半导体IGBT，作为一种重要的电力电子器件，其性能和应用领域备受关注。 IXYS艾赛斯IXYT25N250CHV功率半导体IGBT是一款具有高耐压、大电流特性的产品，其工作电压高达2500V，工作电流高达235A。这款IGBT采用了TO-268HV封装，具有优良的散热性能和机械性能。此外，
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2024-03
IGBT 1200V 240A 1500W TO264的技术
标题：IXYS艾赛斯IXYK120N120C3功率半导体IGBT技术与应用介绍 随着科技的飞速发展，功率半导体器件在各种电子设备中的应用越来越广泛。IXYS艾赛斯IXYK120N120C3是一款高性能的功率半导体IGBT，其特点为1200V、240A、1500W，TO264封装，具有高效、安全、节能的特点。 首先，我们来了解一下IXYS艾赛斯IXYK120N120C3的IGBT技术。这种技术采用先进的半导体工艺，如高温氧化铝绝缘层技术和金属栅极结构等，提高了器件的电气性能和热稳定性。同时，该器
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2024-03
IGBT 650V 370A 1150W PLUS247的技
标题：IXYS艾赛斯IXXX200N65B4功率半导体IGBT 650V 370A 1150W PLUS247的技术和方案应用介绍 随着科技的发展，功率半导体器件在各个领域的应用越来越广泛。IXYS艾赛斯IXXX200N65B4功率半导体IGBT，以其优秀的性能和稳定性，成为了工业、家电、电动汽车等多个领域的重要元器件。本文将详细介绍IXYS艾赛斯IXXX200N65B4功率半导体IGBT的技术和方案应用。 首先，我们来了解一下IXYS艾赛斯IXXX200N65B4功率半导体IGBT的基本参数
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2024-03
IXYS艾赛斯IXX160N65B4功率半导体IGBT 65
标题：IXYS艾赛斯IXXX160N65B4功率半导体IGBT 650V 310A 940W PLUS247的技术和方案应用介绍 一、概述 IXYS艾赛斯IXXX160N65B4是一款高性能的功率半导体IGBT，其工作电压为650V，最大电流为310A，总功率为940W。这款IGBT以其出色的性能和稳定性，在工业、电力、通信和其他需要大功率转换的领域中广泛应用。 二、技术特点 IXYS艾赛斯IXXX160N65B4的IGBT采用了PLUS247技术，这是一种创新的模块化设计，使得IGBT在高温
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2024-03
艾赛斯IXYH82N120C3功率半导体
标题：IXYS艾赛斯IXYH82N120C3功率半导体IGBT的技术和方案应用介绍 一、简介 IXYS艾赛斯IXYH82N120C3功率半导体IGBT是一款具有高耐压、大电流特性的功率电子器件。其工作电压高达1200V，最大电流可达200A，总功率输出为1250W。其封装形式为TO247AD，具有优良的散热性能和结构紧凑的特点。 二、技术特点 1. 高压性能：IXYS IXYH82N120C3 IGBT具有出色的高压性能，能够承受高达1200V的工作电压，为各种高电压应用提供了可能。 2. 大
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2024-03
艾赛斯IXYH24N170C功率半导体IGBT 1
标题：IXYS艾赛斯IXYH24N170C功率半导体IGBT技术与应用介绍 一、简介 IXYS艾赛斯IXYH24N170C是一款高性能的功率半导体IGBT，其技术规格和性能特点使其在电力转换和电子设备中具有广泛的应用前景。这款IGBT模块采用TO247-3封装，具有1.7KV的额定电压和58A的额定电流，适用于各种高功率和高电压应用场景。 二、技术特点 IXYS艾赛斯IXYH24N170C的IGBT模块采用先进的制造工艺，具有以下技术特点： 1. 高导热性能：模块采用优质导热材料，确保高导热性
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2024-03
艾赛斯IXYH50N120C3D1功率半导体IGBT 120
标题：IXYS艾赛斯IXYH50N120C3D1功率半导体IGBT技术与应用介绍 IXYS艾赛斯公司的IXYH50N120C3D1功率半导体IGBT是一款适用于高电压、大电流应用的器件。该器件具有1200V的额定电压，高达90A的额定电流，以及625W的额定功率，被广泛应用于各种需要高效、稳定电源传输的设备中。 首先，我们来了解一下IXYS IXYH50N120C3D1的特性。这款IGBT采用了TO247封装，具有高耐压、大电流和高效率的特点。其内部结构包括一个N沟道MOSFET和一个P沟道I
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2024-03
艾赛斯IXYH10N170C功率半导体IGBT 1
标题：IXYS艾赛斯IXYH10N170C功率半导体IGBT技术与应用介绍 IXYS艾赛斯公司的IXYH10N170C功率半导体IGBT是一款具有高效率、高可靠性、低能耗的优秀产品。这款IGBT采用1.7KV 36A TO247封装，具有广泛的应用前景。 首先，我们来了解一下IXYS艾赛斯IXYH10N170C功率半导体IGBT的技术特点。这款IGBT采用了先进的工艺技术，具有高耐压、大电流、高频性能好等特点。其内部结构采用双极型结构，具有较高的开关速度，能够有效地降低功耗，提高系统效率。此外