芯片产品
热点资讯
- IXYS艾赛斯IXGH28N60B3D1功率半导体IGBT 600V 66A 190W TO247AD的技术和方案应用介绍
- IXYS艾赛斯IXGH10N170功率半导体IGBT 1700V 20A 110W TO247的技术和方案应用介绍
- NXP Semiconductors PN5331B3HN/C270,55
- IXYS艾赛斯IXYT55N120A4HV功率半导体IGBT GENX4 1200V 55A TO268HV的技术和方案应用介绍
- IXYS艾赛斯IXGP30N120B3功率半导体IGBT 1200V 60A 300W TO220的技术和方案应用介绍
- IXYS艾赛斯IXYK110N120C4功率半导体IGBT 1200V 110A GEN4 XPT TO264的技术和方案应用介绍
- IXYS艾赛斯IXGH24N120C3H1功率半导体IGBT 1200V 48A 250W TO247AD的技术和方案应用介绍
- IXYS的客户服务和售后支持有哪些特色和优势?
- IXYS艾赛斯IXGH32N170功率半导体IGBT 1700V 75A 350W TO247AD的技术和方案应用介绍
- IXYS艾赛斯IXXH75N60B3功率半导体DISC IGBT XPT-GENX3 TO-247AD的技术和方案应用介绍
-
11
2025-01
IXYS艾赛斯IXGP24N120C3功率半导体IGBT 1200V 48A 250W TO220的技术和方案应用介绍
标题：IXYS艾赛斯IXGP24N120C3功率半导体IGBT技术与应用介绍 随着电力电子技术的快速发展，功率半导体器件在各种电子设备中的应用越来越广泛。IXYS艾赛斯IXGP24N120C3功率半导体IGBT作为一种重要的功率半导体器件，在各种高电压、大电流的场合发挥着重要的作用。本文将介绍IXYS艾赛斯IXGP24N120C3功率半导体IGBT的技术和方案应用。 一、技术特点 IXYS艾赛斯IXGP24N120C3功率半导体IGBT是一款具有高耐压、大电流特性的器件。其工作电压高达1200
-
10
2025-01
IXYS艾赛斯IXXH30N60B3功率半导体IGBT 600V TO247的技术和方案应用介绍
标题：IXYS艾赛斯IXXH30N60B3功率半导体IGBT 600V TO247的技术和方案应用介绍 一、简介 IXYS艾赛斯IXXH30N60B3功率半导体IGBT是一种重要的电子元件，其工作原理基于绝缘栅双极型晶体管（IGBT）。这种器件在电力电子领域具有广泛的应用，如交流电机驱动、UPS电源、太阳能逆变器、变频器等。 二、技术特点 IXXH30N60B3采用TO-247封装，具有600V的高耐压和低导通电阻等优点。这种特性使得该款IGBT在高温、高压和高频率的条件下具有较高的效率，同时
-
09
2025-01
IXYS艾赛斯IXA20IF1200HB功率半导体IGBT 1200V 38A 165W TO247的技术和方案应用介绍
标题：IXYS艾赛斯IXA20IF1200HB功率半导体IGBT技术与应用介绍 随着科技的不断进步，功率半导体器件在各个领域的应用越来越广泛。IXYS艾赛斯公司的IXA20IF1200HB功率半导体IGBT，以其卓越的性能和可靠性，成为了工业和电力电子领域的重要选择。 IXA20IF1200HB是一款高性能的IGBT模块，其工作电压为1200V，电流容量为38A，最大输出功率为165W。这款器件采用了TO247封装，具有紧凑的尺寸和良好的热性能，适用于各种高功率、高电压和大电流的应用场景。 首
-
08
2025-01
IXYS艾赛斯IXA12IF1200TC-TUB功率半导体IGBT 1200V 20A 85W TO268的技术和方案应用介绍
标题：IXYS艾赛斯IXA12IF1200TC-TUB功率半导体IGBT技术与应用介绍 随着科技的飞速发展，功率半导体器件在各种电子设备中的应用越来越广泛。IXYS艾赛斯公司的IXA12IF1200TC-TUB功率半导体IGBT，以其卓越的性能和可靠性，成为了众多应用场景下的理想选择。 首先，我们来了解一下IXA12IF1200TC-TUB的特性。这款IGBT具有1200V的额定电压，最大电流为20A，最大功率为85W。其TO-268封装方式使得它在空间有限的环境中具有很高的适用性。此外，它的
-
06
2025-01
IXYS艾赛斯IXGA48N60B3-TRL功率半导体IXGA48N60B3 TRL的技术和方案应用介绍
标题：IXYS艾赛斯IXGA48N60B3-TRL功率半导体IXGA48N60B3 TRL的技术和方案应用介绍 随着科技的飞速发展，电力电子设备在我们的日常生活中扮演着越来越重要的角色。在这个背景下，功率半导体器件的重要性不言而喻。IXYS艾赛斯公司的IXGA48N60B3-TRL功率半导体器件，以其卓越的性能和稳定性，成为了行业内的热门选择。 IXGA48N60B3-TRL是一款具有高耐压、大电流特性的N通道功率MOSFET晶体管。IXYS艾赛斯公司在设计这款器件时，充分考虑到了实际应用中的
-
04
2025-01
IXYS艾赛斯IXYH20N65B3功率半导体DISC IGBT XPT-GENX3 TO-247AD的技术和方案应用介绍
标题：IXYS艾赛斯IXYH20N65B3功率半导体DISC IGBT技术及方案应用介绍 随着科技的不断进步，功率半导体器件在各种电子设备中的应用越来越广泛。IXYS艾赛斯公司的IXYH20N65B3功率半导体DISC IGBT，作为一款高效、稳定的功率半导体器件，正被广泛应用于各种领域。本文将详细介绍IXYS IGBT的技术和方案应用。 首先，IXYS IGBT采用了IXYS艾赛斯自主研发的XPT-GENX3技术。该技术采用先进的工艺流程，使得器件具有更高的耐压、更大的电流容量、更低的导通损
-
02
2025-01
IXYS艾赛斯IXXH40N65B4功率半导体IGBT 650V 120A 455W TO247AD的技术和方案应用介绍
标题：IXYS艾赛斯IXXH40N65B4功率半导体IGBT 650V 120A 455W TO247AD的技术和方案应用介绍 一、技术概述 IXYS艾赛斯IXXH40N65B4功率半导体IGBT是一款高性能的功率电子设备，其工作电压高达650V，电流容量为120A，功率输出达到455W，适用于各种需要大功率、高效率的电子设备。TO247AD是该IGBT的封装形式，具有小型化、散热性能好、耐高温等特点，使其在高温、高功率的场合具有显著的优势。 二、方案应用 1. 工业电机驱动：IXXH40N6
-
31
2024-12
IXYS艾赛斯IXGA20N120B3功率半导体IGBT 1200V 36A 180W TO263的技术和方案应用介绍
标题：IXYS艾赛斯IXGA20N120B3功率半导体IGBT技术与应用介绍 随着科技的飞速发展，功率半导体器件在各种电子设备中的应用越来越广泛。IXYS艾赛斯IXGA20N120B3功率半导体IGBT，作为一种重要的功率半导体器件，在许多领域中发挥着不可或缺的作用。本文将详细介绍IXGA20N120B3的技术特点和应用方案。 首先，我们来了解一下IXGA20N120B3的基本参数。该器件是一款1200V、36A、180W的IGBT，封装为TO263。这种封装形式具有体积小、散热性能好的特点，
-
30
2024-12
IXYS艾赛斯IXGT6N170-TRL功率半导体IXGT6N170 TRL的技术和方案应用介绍
标题：IXYS艾赛斯IXGT6N170-TRL功率半导体：技术与应用介绍 随着科技的飞速发展，电力电子设备在我们的日常生活中扮演着越来越重要的角色。在这个领域，IXYS艾赛斯公司的IXGT6N170-TRL功率半导体芯片是一款备受瞩目的产品。这款芯片以其卓越的性能和广泛的应用领域，成为了业内关注的焦点。 首先，让我们了解一下IXGT6N170-TRL功率半导体的基本情况。IXGT6N170是一款具有高耐压、大电流特性的功率MOSFET芯片，其工作电压范围广，可在各种恶劣环境下稳定工作。而其独特
-
29
2024-12
IXYS艾赛斯IXXA30N65C3HV功率半导体IGBT的技术和方案应用介绍
随着电力电子技术的不断发展，功率半导体IGBT作为一种重要的电力电子器件，在各种领域中得到了广泛的应用。IXYS艾赛斯公司的IXXA30N65C3HV功率半导体IGBT便是其中的佼佼者。本文将围绕IXXA30N65C3HV功率半导体IGBT的技术和方案应用进行介绍。 一、技术特点 IXXA30N65C3HV功率半导体IGBT采用了IXYS艾赛斯公司自主研发的先进技术，具有以下特点： 1. 高效能：该器件采用先进的芯片制造技术和封装技术，使得其具有较高的转换效率和可靠性。 2. 低温升：该器件采
-
28
2024-12
IXYS艾赛斯IXGA20N120B3-TRL功率半导体IXGA20N120B3 TRL的技术和方案应用介绍
随着科技的飞速发展，功率半导体在各个领域的应用越来越广泛。IXYS艾赛斯公司作为全球知名的功率半导体供应商，其IXGA20N120B3-TRL系列产品在市场上备受瞩目。本文将围绕IXGA20N120B3-TRL功率半导体IXGA20N120B3 TRL的技术和方案应用进行介绍。 一、技术特点 IXGA20N120B3-TRL功率半导体IXGA20N120B3 TRL采用了先进的工艺技术，具有以下特点： 1. 高效能：该产品在保证高可靠性的同时，具有出色的能效比，能够显著降低能源消耗，符合当前绿
-
27
2024-12
IXYS艾赛斯IXGA20N120A3-TRL功率半导体IXGA20N120A3 TRL的技术和方案应用介绍
随着科技的飞速发展，电子设备在我们的日常生活中扮演着越来越重要的角色。在这个背景下，功率半导体的应用范围也在不断扩大。IXYS艾赛斯IXGA20N120A3-TRL功率半导体器件，作为一款高性能的功率晶体管，为各种电子设备提供了强大的动力支持。 IXGA20N120A3-TRL是一款N沟道功率MOSFET晶体管，其工作频率高，开关速度快，且具有较小的通态损耗。这些特性使得IXGA20N120A3-TRL在需要快速开关和高效电源转换的电子设备中具有广泛的应用前景。 IXYS艾赛斯在研发IXGA2