欢迎来到亿配芯城! | 免费注册
你的位置:IXYS(艾赛斯)功率半导体IC芯片全系列-亿配芯城 > 话题标签 > 三星

三星 相关话题

TOPIC

标题:三星CL21A476MRYNNNE贴片陶瓷电容CAP CER 47UF 4V X5R 0805的技术与应用介绍 随着电子技术的不断发展,贴片陶瓷电容在各类电子产品中发挥着越来越重要的作用。三星CL21A476MRYNNNE贴片陶瓷电容,作为一种常用的电子元器件,其性能和应用场景广泛。本文将围绕该电容的技术和方案应用进行介绍。 一、技术特点 三星CL21A476MRYNNNE贴片陶瓷电容采用陶瓷作为介质,具有高稳定性、耐高温、耐腐蚀等优点。其电容量为47UF,工作电压为4V,属于X5R类型
三星K4H561638N-LCB3 BGA封装DDR储存芯片的技术与方案应用介绍 随着科技的飞速发展,电子产品已逐渐渗透到我们生活的每一个角落。而在这些电子产品中,内存芯片扮演着至关重要的角色。三星K4H561638N-LCB3是一种采用BGA封装的DDR储存芯片,它在各类电子产品中有着广泛的应用。 首先,我们来了解一下三星K4H561638N-LCB3的基本技术特点。它是一款DDR储存芯片,采用了BGA封装技术。BGA,即Ball Grid Array Package的简称,是一种先进的封装
随着科技的飞速发展,电子设备对内存的需求越来越大,三星K4H561638H-UCB3 BGA封装DDR储存芯片作为一种高性能的内存芯片,在各类电子产品中发挥着越来越重要的作用。本文将围绕该芯片的技术特点、方案应用等方面进行介绍。 一、技术特点 三星K4H561638H-UCB3 BGA封装DDR储存芯片采用了先进的BGA封装技术。BGA,即球栅阵列封装,其内部集成度较高,能够容纳更多的内存芯片。该芯片采用了高速DDR2内存技术,具有高速、低功耗、低电压等特点,能够满足各类电子设备对内存的高要求
标题:三星CL10X106MO8NRNC贴片陶瓷电容CAP CER 10UF 16V X6S 0603的技术与应用介绍 随着电子技术的不断发展,陶瓷电容在各类电子产品中发挥着越来越重要的作用。三星CL10X106MO8NRNC贴片陶瓷电容,作为一种重要的电子元件,其性能和应用领域值得我们深入探讨。 首先,三星CL10X106MO8NRNC贴片陶瓷电容的基本参数值得我们关注。它采用X6S介电材料,具有高介电常数和高频率特性。电容容量为10微法,电压规格为16伏,适用于各类电路中的滤波、旁路等应用
随着科技的飞速发展,电子设备对内存的需求越来越大,DDR储存芯片在各类电子产品中发挥着越来越重要的作用。三星K4H561638F-TCB3是一款高性能的BGA封装DDR储存芯片,其优异的技术特性和方案应用,为各类电子产品提供了强大的支持。 首先,我们来了解一下三星K4H561638F-TCB3的基本技术特性。这款芯片采用先进的DDR技术,工作频率高,数据传输速度快,能够满足各类高端设备对内存的高要求。其存储容量大,能够满足用户对大容量存储的需求。此外,该芯片具有低功耗、低工作温度、长寿命等优点
三星K4H511668J-LCCC BGA封装DDR储存芯片的技术和方案应用介绍 随着科技的飞速发展,电子设备对内存的需求越来越大,DDR储存芯片作为一种重要的内存设备,在各类电子产品中发挥着不可或缺的作用。三星K4H511668J-LCCC便是其中一种具有代表性的BGA封装DDR储存芯片。 首先,我们来了解一下三星K4H511668J-LCCC的基本信息。该芯片是一款BGA封装的DDR2 SDRAM芯片,其尺寸为30mm x 30mm x 0.75mm。这种封装方式使得芯片具有更高的集成度,
标题:三星CL21B106KOQNNNE贴片陶瓷电容CAP CER 10UF 16V X7R 0805的技术和应用介绍 随着电子设备的日益复杂化,对高品质电子元件的需求也在不断增加。其中,贴片陶瓷电容(简称CAP)是一种广泛应用于各类电子设备中的关键元件。三星CL21B106KOQNNNE这种型号的贴片陶瓷电容,以其独特的性能和规格,在各种技术方案中发挥着重要作用。 一、技术特点 三星CL21B106KOQNNNE贴片陶瓷电容是一种X7R介电材料的元件,具有高介电常数和高温度稳定性。其容量为1
三星K4H511668G-LCCC BGA封装DDR储存芯片的技术和方案应用介绍 随着科技的飞速发展,电子产品在我们的日常生活中扮演着越来越重要的角色。而作为电子产品的核心组成部分,内存芯片的地位也日益凸显。三星K4H511668G-LCCC作为一种BGA封装的DDR储存芯片,其技术特点和方案应用值得我们深入探讨。 首先,我们来了解一下三星K4H511668G-LCCC的基本技术特点。该芯片采用了先进的BGA封装技术,具有高集成度、低功耗、高可靠性和高性能的特点。其存储容量高达16GB,工作频
三星K4H511668D-UCCC BGA封装DDR储存芯片的技术与方案应用介绍 随着科技的飞速发展,电子产品已逐渐渗透到我们生活的每一个角落。其中,DDR储存芯片作为电子设备的重要组成部分,其性能和技术的不断提升,为各类设备的性能提升提供了强有力的支持。本文将详细介绍三星K4H511668D-UCCC BGA封装DDR储存芯片的技术和方案应用。 一、技术概述 三星K4H511668D-UCCC是一款采用了BGA封装的DDR储存芯片。BGA(Ball Grid Array)是一种将集成电路(I
三星宣布推出新款PCIe 4.0 SSD PM1733和PM1735,面向OEM大客户市场,算上一切容量(0.8TB~30.72TB)和板型(2.5寸U.2或扩展卡)的话样式多达19款。 除了得益于PCIe 4.0接口带来了最高连续写入3.8GB/s、连续读取8GB/s、随机读取1450K IOPS、随机写入260K IOPS的傲人速度,三星对主控软件算法的优化也到达新高度。 最值得一说的便是芯片毛病防护技术(FIP),号称能够让SSD永远不坏、不掉。三星称,这是存储行业60年来新的里程碑,即