韩反垄断机构：三星已解除交叉持股结构 改进企业治理
2024-08-25凤凰网科技讯 北京时间12月28日消息，韩国反垄断机构周五表示，包括三星集团在内的韩国大企业已经切断了交叉持股联系，提高了企业治理的透明度。韩国企业的交叉持股结构常常被指责是为了巩固创始人后代对公司的控制权。 韩国公平贸易委员会今天宣布，在60家韩国大企业中，有15家已自愿作出努力，要么改善了所有权结构或企业治理，要么缓解了交叉持股问题。这15家公司包括三星、LG、现代、SK、乐天等。三星是韩国最大企业。 FTC认为，三星在今年解除了剩余的7个交叉持股联系，从而彻底解决了交叉持股结构问题。今年
三星四季度营业利润10.8万亿韩元 销售额59万亿韩元
2024-08-25韩国经济支柱三星电子四季度业绩大幅不及预期，四季度营业利润10.8万亿韩元，市场预期13.83万亿韩元；四季度销售额59万亿韩元，市场预期63.58万亿韩元。 三星电子表示，盈利下降部分原因是存储器需求疲软，四季度出货量增长不及三季度；预计储存器一季度还将延续这种态势，但供需下半年将改善，公司业绩料将随之增强；智能手机市场竞争加剧，尽管是销售旺季，但销量仍然陷入停滞。 中国需求低迷将进一步拖累三星芯片的销量。而中国智能手机市场整体在企稳下滑，影响的不只是苹果，还有三星电子。路透援引HI Inv
标题：三星CL31B475KBHNFNE贴片陶瓷电容的应用与技术方案介绍 随着电子技术的不断发展，贴片陶瓷电容在各类电子产品中发挥着越来越重要的作用。三星CL31B475KBHNFNE贴片陶瓷电容，以其卓越的性能和稳定性，广泛应用于各种电子设备中。本文将围绕这款电容的技术和方案应用进行介绍。 一、技术特点 三星CL31B475KBHNFNE贴片陶瓷电容，采用先进的陶瓷材料和特殊工艺制造。具有高介电常数、低电容量、耐高温、耐腐蚀等特点。电容容量为4.7UF，工作电压为50V，使用X7R材料，具有
三星K4S561632H-UC75 BGA封装DDR储存芯片的技术和方案应用介绍
2024-08-24随着科技的飞速发展，内存芯片在我们的日常生活中扮演着越来越重要的角色。三星K4S561632H-UC75 BGA封装DDR储存芯片，作为一种高性能的内存产品，在各种电子产品中发挥着关键作用。本文将详细介绍三星K4S561632H-UC75的技术特点和方案应用，帮助读者更好地了解这一重要芯片。 一、技术特点 三星K4S561632H-UC75是一款采用BGA封装的DDR储存芯片。BGA，即Ball Grid Array（球形封装阵列），是一种高密度、高性能的封装技术。这种技术通过将芯片固定在一块
三星K4S561632E-UC75 BGA封装DDR储存芯片的技术和方案应用介绍
2024-08-24随着科技的飞速发展，电子产品越来越普及，对内存芯片的需求也日益增长。三星K4S561632E-UC75 BGA封装DDR储存芯片作为一款高性能的内存芯片，在各种电子产品中发挥着重要的作用。本文将介绍三星K4S561632E-UC75 BGA封装DDR储存芯片的技术和方案应用。 一、技术特点 三星K4S561632E-UC75 BGA封装DDR储存芯片采用了先进的BGA封装技术。BGA是球栅阵列封装，它具有高密度、高可靠性的特点，适用于内存芯片等小型化、高密度化应用。该芯片采用了高速DDR2内存
联发科再添劲敌，三星Exynos 7系列将抢占印度市场
2024-08-241月22日，三星正式推出Exynos 7系列处理器新品Exynos 7904，并且专攻新兴市场需求。三星的目标很明确，首站就是定位于印度中端手机市场，专为印度用户量身定制。 据了解，三星Exynos 7904基于自家的14nm工艺制程打造，采用两个A73核心和6个A53核心的八核心设计，支持Cat.12三载波聚合，下行速度能够达到600Mbps。能够带来流畅的多任务处理能力以及能耗和功耗的平衡。 而且，三星Exynos 7904支持3200万像素单摄像头、以及三摄设计，这也使得厂商能够拥有更大
标题：三星CL31A476MQHNNNE贴片陶瓷电容CAP CER 47UF 6.3V X5R 1206的技术与应用介绍 随着电子技术的不断发展，陶瓷电容在各类电子产品中发挥着越来越重要的作用。三星CL31A476MQHNNNE贴片陶瓷电容作为一种重要的电子元件，其性能和应用广泛受到关注。本文将围绕三星CL31A476MQHNNNE陶瓷电容的技术和方案应用进行介绍。 一、技术特点 三星CL31A476MQHNNNE贴片陶瓷电容采用X5R介电材料，具有高介电常数和高温度稳定性。其容量为47UF，
三星K4S561632E-TI75 BGA封装DDR储存芯片的技术和方案应用介绍
2024-08-23随着科技的飞速发展，电子设备对内存的需求越来越大，DDR储存芯片在各类电子产品中发挥着越来越重要的作用。三星K4S561632E-TI75是一款采用BGA封装技术的DDR储存芯片，其在性能、功耗、可靠性等方面具有显著优势，广泛应用在各类高端电子设备中。 一、技术特点 三星K4S561632E-TI75是一款高速DDR储存芯片，采用BGA封装技术。BGA是指球栅阵列封装，其将芯片集成度更高，更易于进行内存模块的组装和测试。该芯片内部集成有高速存储器，如SRAM、DRAM等，具有极高的数据传输速率
三星K4S561632E-TC75 BGA封装DDR储存芯片的技术和方案应用介绍
2024-08-23随着科技的飞速发展，电子设备对内存的需求越来越大，DDR储存芯片在各类电子产品中发挥着越来越重要的作用。三星K4S561632E-TC75便是其中一款备受瞩目的BGA封装DDR储存芯片。本文将围绕这款芯片的技术和方案应用进行介绍。 一、技术特点 三星K4S561632E-TC75是一款BGA封装的DDR3 SDRAM芯片。其技术特点主要包括：高速运行、低功耗、高稳定性以及出色的兼容性。该芯片支持双通道接口，工作频率达到2133MHz，提供更高的数据传输速度。同时，其BGA封装形式使得芯片具有更