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2024-05
IXYS艾赛斯IXYH30N120C3D1功率半导体IGBT 1200V 66A 416W TO247的技术和方案应用介绍
标题：IXYS艾赛斯IXYH30N120C3D1功率半导体IGBT技术与应用介绍 一、简介 IXYS艾赛斯IXYH30N120C3D1功率半导体IGBT是一款适用于各种高电压、大电流应用的半导体器件。其工作电压高达1200V，电流容量为66A，功率为416W，封装形式为TO247。这些特性使得IXYS IXYH30N120C3D1在电力转换、电源管理以及其它高功率应用领域中具有广泛的应用前景。 二、技术特点 IXYS IXYH30N120C3D1采用先进的IGBT技术，具有以下特点： 1. 高
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2024-04
IXYS艾赛斯IXGH16N170A功率半导体IGBT 1700V 16A 190W TO247的技术和方案应用介绍
标题：IXYS艾赛斯IXGH16N170A功率半导体IGBT技术与应用介绍 一、简介 IXYS艾赛斯IXGH16N170A功率半导体IGBT是一款适用于各种电子设备的高压大电流功率半导体器件。其工作电压高达1700V，最大电流为16A，最大功率为190W，使得它非常适合于需要高效率、高功率的电子设备。封装形式为TO247，使得其具有紧凑的结构和良好的散热性能。 二、技术特点 IXGH16N170A采用了IXYS艾赛斯独特的工艺技术，具有以下特点： 1. 高压大电流设计，使得该器件在需要高功率的
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2024-04
IXYS艾赛斯IXYH10N170CV1功率半导体IGBT 1.7KV 36A TO247的技术和方案应用介绍
标题：IXYS艾赛斯IXYH10N170CV1功率半导体IGBT技术与应用介绍 一、简述产品 IXYS艾赛斯IXYH10N170CV1是一款高性能的功率半导体IGBT，其特点是具有高输入阻抗、快速导通及关断特性，并具备高耐压、大电流输出能力。这种功率半导体器件适用于各种电源系统，包括家用电器、工业设备、电动车充电系统以及风力发电等应用领域。 二、技术特点 IXYS IXYH10N170CV1的IGBT模块采用TO-247封装，具有优良的热性能和电气性能。这种封装设计使得器件能够在高温和高压环境
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2024-04
IXYS艾赛斯IXGH16N170功率半导体IGBT 1700V 32A 190W TO247AD的技术和方案应用介绍
标题：IXYS艾赛斯IXGH16N170功率半导体IGBT技术与应用介绍 一、技术概述 IXYS艾赛斯IXGH16N170是一款高性能的功率半导体IGBT，其特点是工作电压低、开关速度快、损耗小、耐压高、电流容量大，适用于各种电力电子设备中。该器件采用TO247AD封装，具有紧凑的尺寸和良好的热性能，使其在许多应用中具有显著的优势。 二、工作原理 IGBT（Insulated Gate Bipolar Transistor）是一种复合型功率半导体器件，具有门极可调谐开关特性，使得其开关速度非常
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2024-04
IXYS艾赛斯IXYT55N120A4HV功率半导体IGBT GENX4 1200V 55A TO268HV的技术和方案应用介绍
标题：IXYS艾赛斯IXYT55N120A4HV功率半导体IGBT GENX4 1200V 55A TO268HV的技术和方案应用介绍 随着科技的飞速发展，电力电子设备在各个领域的应用越来越广泛，对高性能功率半导体器件的需求也日益增长。IXYS艾赛斯公司的IXYT55N120A4HV功率半导体IGBT，采用GENX4系列，具有1200V、55A的强大性能，TO268HV封装，为高压大电流应用提供了理想的解决方案。 首先，我们来了解一下IXYS IXYT55N120A4HV功率半导体IGBT的基
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2024-04
IXYS艾赛斯IXYH20N120C3D1功率半导体IGBT 1200V 36A 230W TO-247AD的技术和方案应用介绍
标题：IXYS艾赛斯IXYH20N120C3D1功率半导体IGBT技术与应用介绍 随着科技的飞速发展，功率半导体器件在各种电子设备中的应用越来越广泛。IXYS艾赛斯公司的IXYH20N120C3D1 IGBT功率半导体器件，以其卓越的性能和可靠性，在众多应用领域中发挥着重要作用。 IXYS IXYH20N120C3D1 IGBT是一款具有1200V耐压、36A电流容量和230W功率输出的器件。其TO-247AD封装设计使得该器件在各种高功率、高温度和高频率的应用场景中表现出色。此外，该器件的开
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2024-04
IXYS艾赛斯IXYH100N65C3功率半导体IGBT 650V 200A 830W TO247的技术和方案应用介绍
标题：IXYS艾赛斯IXYH100N65C3功率半导体IGBT技术及方案应用介绍 随着科技的进步，电力电子设备在我们的日常生活中发挥着越来越重要的作用。IXYS艾赛斯公司的IXYH100N65C3功率半导体IGBT，以其独特的性能和出色的可靠性，成为电力转换领域的重要一员。 IXYS IXYH100N65C3采用650V 200A 830W的IGBT技术，具有高耐压、高电流、高热耗等特点，适用于各种高功率、高电压的场合。其TO-247封装设计，使得该器件在保持高功率的同时，具有优良的散热性能和
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2024-04
IXYS艾赛斯IXYH30N120C3功率半导体IGBT 1200V 75A 500W TO247的技术和方案应用介绍
标题：IXYS艾赛斯IXYH30N120C3功率半导体IGBT技术与应用介绍 随着科技的飞速发展，电力电子技术在各个领域的应用越来越广泛。IXYS艾赛斯公司的IXYH30N120C3功率半导体IGBT作为一种重要的电力电子器件，在许多设备中发挥着关键作用。本文将介绍IXYS IXYH30N120C3的特性和应用方案。 首先，让我们了解一下IXYS IXYH30N120C3的性能参数。这款IGBT采用TO-247封装，工作电压高达1200V，电流容量为75A，最大输出功率为500W。这意味着它适
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2024-04
IXYS艾赛斯IXYH40N120C3功率半导体IGBT 1200V 70A 577W TO247的技术和方案应用介绍
标题：IXYS艾赛斯IXYH40N120C3功率半导体IGBT的技术和方案应用介绍 随着科技的飞速发展，电力电子设备在各个领域的应用越来越广泛。IXYS艾赛斯公司的IXYH40N120C3功率半导体IGBT，作为一种重要的功率电子元件，在各种设备中发挥着关键作用。本文将围绕该元件的技术和方案应用进行介绍。 一、技术特点 IXYS艾赛斯IXYH40N120C3功率半导体IGBT是一款具有高耐压、大电流、高热耗等特性的元件。其具体参数包括：工作电压为1200V，最大电流为70A，最大功率为577W
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2024-04
IXYS艾赛斯IXYA20N120C4HV功率半导体IGBT 1200V 20A X4 HSPEED TO263D2的技术和方案应用介绍
标题：IXYS艾赛斯IXYA20N120C4HV功率半导体IGBT的技术和方案应用介绍 随着科技的飞速发展，功率半导体器件在各种电子设备中的应用越来越广泛。IXYS艾赛斯IXYA20N120C4HV功率半导体IGBT作为一种重要的功率半导体器件，在各种高电压、大电流的场合发挥着重要的作用。本文将介绍IXYS艾赛斯IXYA20N120C4HV功率半导体IGBT的技术和方案应用。 首先，我们来了解一下IXYS艾赛斯IXYA20N120C4HV功率半导体IGBT的技术特点。这款器件采用了X4 HSP
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2024-04
IXYS艾赛斯IXYH40N120B3D1功率半导体IGBT 1200V 86A 480W TO247的技术和方案应用介绍
标题：IXYS艾赛斯IXYH40N120B3D1功率半导体IGBT的技术和方案应用介绍 一、简述产品 IXYS艾赛斯IXYH40N120B3D1是一款功率半导体IGBT，其规格参数为1200V，86A，480W。该型号的IGBT采用了TO247封装技术，这是一种小型、高效且高可靠性的封装形式，广泛应用于各类电力电子设备中。 二、技术特点 IXYS IXYH40N120B3D1的主要技术特点包括：高输入输出电容容量、低饱和电压、高开关频率、良好的热特性等。这些特性使得它在各种高频率、高功率的电源
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2024-04
IXYS艾赛斯IXGH30N60C3D1功率半导体IGBT 600V 60A 220W TO247的技术和方案应用介绍
标题：IXYS艾赛斯IXGH30N60C3D1功率半导体IGBT技术与应用介绍 IXYS艾赛斯IXGH30N60C3D1功率半导体IGBT是一款高效、可靠的600V 60A 220W的IGBT模块，其技术特点和方案应用值得我们深入探讨。 一、技术特点 IXGH30N60C3D1采用了IXYS艾赛斯独特的技术，包括先进的材料科学、精确的制造工艺和严格的质检流程。这种IGBT模块具有高效率、高可靠性、低热阻和高导热性能，使其在各种恶劣环境下都能表现出色。此外，它还具有较低的开关损耗和较高的输入/输