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2024-04
IXYS艾赛斯IXGH28N60B3D1功率半导体IGBT 600V 66A 190W TO247AD的技术和方案应用介绍
标题：IXYS艾赛斯IXGH28N60B3D1功率半导体IGBT技术与应用介绍 一、简介 IXYS艾赛斯IXGH28N60B3D1是一款高性能的功率半导体IGBT，其特点是600V、66A和190W的规格，适用于各种高效率的电源和电子设备。 二、技术特点 IXGH28N60B3D1采用了IXYS艾赛斯独特的IGBT技术，具有高开关速度、低损耗和高可靠性等特点。该器件能够在高温和高压环境下稳定工作，大大提高了系统的可靠性和稳定性。 三、应用领域 1. 电源模块：IXGH28N60B3D1适用于各
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2024-04
IXYS艾赛斯IXGH48N60A3功率半导体IGBT 600V 120A 300W TO247的技术和方案应用介绍
标题：IXYS艾赛斯IXGH48N60A3功率半导体IGBT 600V 120A 300W TO247的技术和方案应用介绍 随着电力电子技术的发展，功率半导体器件在各种设备中的应用越来越广泛。IXYS艾赛斯IXGH48N60A3功率半导体IGBT便是其中一种具有代表性的器件。这款器件具有600V、120A、300W的特性，适用于各种需要高效、安全、可靠电能转换的场合。 首先，我们来了解一下IXGH48N60A3的基本技术参数。它是一款绝缘栅双极型晶体管（IGBT），具有高输入电容、低饱和电压、
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2024-04
IXYS艾赛斯IXBH2N250功率半导体
标题：IXYS艾赛斯IXBH2N250功率半导体IGBT技术与应用介绍 一、背景介绍 IXYS艾赛斯是一家专业生产功率半导体IGBT的厂商，其IXBH2N250型号IGBT是一款具有高可靠性、高效率、低损耗等特点的功率器件。其2500V的耐压，5A的电流，以及32W的功率，使其在各种电力电子系统中发挥关键作用。 二、技术特点 IXBH2N250的IGBT采用了IXYS艾赛斯独特的封装技术，使得其导通电阻低，开关速度高，能够更好地适应高频、高温、高压等恶劣工作环境。此外，其采用了先进的绝缘技术，
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2024-04
CV1功率半导体1700V/85A HIGH VOLTAGE
标题：IXYS艾赛斯IXYN30N170CV1功率半导体器件的技术和方案应用介绍 随着科技的飞速发展，功率半导体器件在各种电子设备中的应用越来越广泛。IXYS艾赛斯公司的IXYN30N170CV1功率半导体器件，以其出色的性能和广泛的应用领域，成为了业界的焦点。本文将详细介绍IXYS艾赛斯IXYN30N170CV1功率半导体器件的技术和方案应用。 首先，我们来了解一下IXYS艾赛斯IXYN30N170CV1功率半导体器件的技术特点。这款器件采用了IXYS公司独特的XPT技术，具有高电压、大电流
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2024-04
IXYS艾赛斯IXBT2N250功率半导体
标题：IXYS艾赛斯IXBT2N250功率半导体IGBT技术与应用介绍 IXYS艾赛斯公司以其卓越的IXBT2N250功率半导体IGBT，在业界享有盛名。这款IGBT具有出色的性能和可靠性，适用于各种工业和电子设备，如电机驱动、电源转换、加热设备等。 IXBT2N250是一款2500V、5A、32W的功率半导体器件，采用TO-268封装。这种封装方式具有高散热性，能够确保器件在高电流和高电压下稳定工作。其特点包括低饱和电压、高抗浪涌能力、高开关速度和良好的热性能，使其在各种恶劣环境下都能保持高
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2024-04
艾赛斯IXYK140N90C3功率半导体IGBT 900V
标题：IXYS艾赛斯IXYK140N90C3功率半导体IGBT的技术和方案应用介绍 IXYS艾赛斯IXYK140N90C3功率半导体IGBT是一款高性能的功率电子器件，其900V、310A、1630W的规格参数使其在各种高功率应用场合中具有广泛的应用前景。 首先，我们来了解一下IXYS IXYS IXYK140N90C3 IGBT的技术特点。这款IGBT采用了IXYS艾赛斯独特的生产工艺，具有高开关速度、低损耗、高效率等特点。同时，其还具有优良的过载能力和热稳定性，能够适应各种恶劣的工作环境。
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2024-04
IGBT 1700V 75A 350W TO268的技术和方
标题：IXYS艾赛斯IXGT32N170-TRL功率半导体IGBT技术与应用介绍 IXYS艾赛斯公司的IXGT32N170-TRL功率半导体IGBT是一种高性能的功率电子设备，具有1700V、75A、350W的功率容量。这款IGBT以其卓越的性能和可靠性，广泛应用于各种电子设备中，如电力转换系统、电机驱动系统、电源模块等。 首先，我们来了解一下IXGT32N170-TRL功率半导体IGBT的技术特点。这款IGBT采用了IXYS艾赛斯公司独特的封装技术，确保了其高稳定性和可靠性。此外，其采用了先
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2024-04
艾赛斯IXYH50N65C3H1功率半导体IGBT 650V
标题：IXYS艾赛斯IXYH50N65C3H1功率半导体IGBT技术与应用介绍 IXYS艾赛斯公司的IXYH50N65C3H1功率半导体IGBT是一款高效、可靠的功率电子设备，其650V、130A、600W的规格在许多应用中具有广泛的使用价值。本文将介绍这款产品的技术特点和应用方案。 一、技术特点 IXYS艾赛斯IXYH50N65C3H1功率半导体IGBT采用了先进的650V技术，具有高耐压、大电流、低损耗的特点。其内部结构采用半桥结构，具有更高的开关速度和更低的热阻，从而提高了系统的效率和可
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2024-03
艾赛斯IXXH110N65C4功率半导体IGBT 650V
标题：IXYS艾赛斯IXXH110N65C4功率半导体IGBT技术与应用介绍 功率半导体IGBT，即绝缘栅双极晶体管，是一种重要的电子元器件，广泛应用于各种电力电子设备中。本文将介绍IXYS艾赛斯公司的IXXH110N65C4功率半导体IGBT，包括其技术特点、规格参数、应用方案等方面。 一、技术特点 IXXH110N65C4功率半导体IGBT采用了IXYS艾赛斯公司的独特技术，包括高电压设计、高速开关特性、高电流容量等。该器件能够在650V的电压下，承受高达234A的电流，并具有880W的输
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2024-03
艾赛斯IXYA20N120B4HV功率半导体
标题：IXYS艾赛斯IXYA20N120B4HV功率半导体IGBT技术与应用介绍 随着科技的飞速发展，功率半导体器件在各种电子设备中的应用越来越广泛。IXYS艾赛斯公司的IXYA20N120B4HV功率半导体IGBT，以其卓越的性能和可靠性，成为了众多应用场景中的理想选择。 首先，让我们了解一下IXYS艾赛斯IXYA20N120B4HV功率半导体IGBT的基本参数。这款器件的最大额定工作电压为1200V，最大额定工作电流为20A，这使得它在许多高功率和高电压应用中具有出色的性能。此外，它的通态
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2024-03
IXYS艾赛斯IXGH50N90B2D1功率半导体
标题：IXYS艾赛斯IXGH50N90B2D1功率半导体IGBT技术与应用介绍 IXYS艾赛斯IXGH50N90B2D1功率半导体IGBT是一款900V，75A，400W的TO247AD封装的IGBT。这款功率半导体器件以其卓越的性能和可靠性，广泛应用于各种电子设备中，包括电源转换、电机驱动、太阳能逆变器等。 首先，我们来了解一下IXGH50N90B2D1的特性。这款IGBT采用了IXYS艾赛斯独特的技术，具有高耐压、大电流、低损耗等特点。其工作温度范围宽，能在各种恶劣环境下稳定工作。此外，它
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2024-03
艾赛斯IXYH16N170C功率半导体IGBT 1
标题：IXYS艾赛斯IXYH16N170C功率半导体IGBT技术与应用介绍 IXYS艾赛斯公司生产的IXYH16N170C功率半导体IGBT是一款高性能的功率电子器件，具有1.7KV的绝缘电压和40A的额定电流。这款IGBT在工业、电力电子和可再生能源领域具有广泛的应用前景。 首先，我们来了解一下IXYS IXYH16N170C的特性。这款IGBT采用了TO247封装，具有高效率和良好的热稳定性。绝缘电压达到1.7KV，意味着它能够承受较高的电压，减少了电击和短路的风险。额定电流为40A，意味