三星电子，全球领先的存储芯片制造商，近日宣布在美国设立新的研究实验室，专注于开发新一代3D DRAM技术。这个实验室将隶属于总部位于美国硅谷的Device Solutions America (DSA)，负责三星在美国的半导体生产。

新一代3D DRAM技术将带来革命性的突破。通过先进的3D堆叠技术，这种DRAM有望实现更高的存储容量和更快的读写速度，从而满足不断增长的数据需求。三星希望通过这项技术引领全球3D存储芯片市场，巩固其市场领先地位。

新实验室的成立标志着三星对3D DRAM技术的重视和投入。这将是一个重要的研发基地，汇聚了业界顶尖的技术专家和工程师， 亿配芯城 共同致力于新一代3D DRAM的研发工作。

去年10月，三星透露了正在为10纳米以下的DRAM开发新的3D结构。这种结构能够实现更大的单芯片容量，理论上甚至可以超过100千兆位。这一突破性的进展将为未来的存储技术打开新的可能性，为数据中心、云计算和人工智能等领域提供更强大的支持。

三星在美国设立实验室，并专注于新一代3D DRAM技术的开发，展现了其在技术创新和行业领导力方面的决心。随着新一代3D DRAM技术的不断成熟和应用，我们有理由相信，三星将继续引领全球存储芯片市场的发展，为未来的科技产业注入强大的动力。

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